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1. (WO2018055318) A Power MOSFET with an Integrated Schottky Diode
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Pub. No.: WO/2018/055318 International Application No.: PCT/GB2016/052966
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 23.09.2016
IPC:
H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01)
Applicants: DYNEX SEMICONDUCTOR LIMITED[GB/GB]; Doddington Road Lincoln Lincolnshire LN6 3LF, GB
ZHUZHOU CRRC TIMES ELECTRIC CO. LTD[CN/CN]; Shidai Road Shifeng District Zhuzhou HN, 412001, CN
Inventors: JIANG, Huaping; GB
KE, Maolong; GB
DEVINY, Ian; GB
WEI, Jin; CN
Agent: MARKS & CLERK LLP; 62-68 Hills Road Cambridge Cam CB2 1LA, GB
Priority Data:
Title (EN) A Power MOSFET with an Integrated Schottky Diode
(FR) MOSFET DE PUISSANCE À DIODE SCHOTTKY INTÉGRÉE
Abstract: front page image
(EN) We disclose herein a power semiconductor device comprising a drain region of a first conductivity type, a drift region of the first conductivity type disposed on the drain region, the drift region having a lower doping concentration compared to the doping concentration of the drain region; a body region of a second conductivity type, opposite to the first conductivity type, disposed over the drift region; a source region of the first conductivity type, disposed within the body region; a source ohmic contact being disposed on the source region; a trench gate region being in contact with the source region, the body region and the drift region, wherein the source and the body regions are disposed at the bottom of a trench in which a trench gate region is disposed and the trench gate region is configured to form a channel in the body region between the source region and the drift region; and a Schottky contact formed on a surface of the power semiconductor device, the Schottky contact extending from an edge of the trench gate region.
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur de puissance comprenant une zone de drain d’un premier type de conductivité, une zone de dérive du premier type de conductivité disposé sur la zone de drain, la zone de dérive ayant une concentration de dopage inférieure à la concentration de dopage de la zone de drain ; une zone de corps d’un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité, disposée au-dessus de la zone de dérive ; une zone de source du premier type de conductivité, disposée dans la zone de corps ; un contact ohmique de source qui est disposé sur la zone de source ; une zone de grille de tranchée qui est en contact avec la zone de source, la zone de corps et la zone de source de dérive, les zones de source et de corps étant disposées au fond d’une tranchée dans laquelle une zone de grille de tranchée est disposée et la zone de grille de tranchée étant conçue pour former un canal dans la zone de corps entre la zone de source et la zone de dérive ; et un contact Schottky formé sur une surface du dispositif semi-conducteur de puissance, le contact Schottky s’étendant depuis un bord de la zone de grille de tranchée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)