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1. (WO2018055276) STRUCTURE, OF THE BOLOMETER TYPE, FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH A STRUCTURE
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Pub. No.:    WO/2018/055276    International Application No.:    PCT/FR2017/052501
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 19.09.2017
IPC:
G01J 5/02 (2006.01), G01J 5/20 (2006.01), G01J 5/24 (2006.01), G01J 5/08 (2006.01)
Applicants: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; Bat le Ponant 25 rue Leblanc 75015 Paris (FR)
Inventors: YON, Jean-Jacques; (FR).
FUXA, Etienne; (FR)
Agent: GUERRE, Fabien; (FR)
Priority Data:
16 58921 22.09.2016 FR
Title (EN) STRUCTURE, OF THE BOLOMETER TYPE, FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION AND PROCESS FOR MANUFACTURING SUCH A STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE DÉTECTION DE RAYONNEMENTS ÉLECTROMAGNÉTIQUES DE TYPE BOLOMÈTRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TELLE STRUCTURE
Abstract: front page image
(EN)Detecting structure (10) of the bolometer type, for detecting electromagnetic radiation. The detecting structure (10) includes a MOSFET transistor (100) associated with the absorbing element in order to detect the increase in the temperature of said absorbing element during the absorption of electromagnetic radiation. The transistor (100) includes at least one first and at least one second zone (111, 112), at least one third zone (113) separating the first and second zones (111, 112) from each other, and at least one first gate electrode (120) that is arranged to bias the third zone (113). The first gate electrode (120) includes at least one first metal section forming the first absorbing element. The first metal section having a thickness Ep satisfying the following inequalities, Formula. The invention further relates to a process for manufacturing such a structure.
(FR)Structure de détection (10) de type bolomètre pour la détection d'un rayonnement électromagnétique. La structure de détection (10) comporte un transistor (100) du type MOS-FET associé à l'élément absorbant pour détecter l'élévation de température dudit élément absorbant lors de l'absorption du rayonnement électromagnétique. Le transistor (100) comporte au moins une première et au moins une deuxième zone (111, 112), au moins une troisième zone (113) séparant l'une de l'autre la première et la deuxième zone (111, 112), et au moins une première électrode de grille (120) agencée pour polariser la troisième zone (113). La première électrode de grille (120) comporte au moins une première portion métallique formant le premier élément absorbant. La première portion métallique présentant une épaisseur Ep respectant les inégalités suivantes, Formule. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une telle structure
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)