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1. (WO2018054151) LOW-NOISE AMPLIFIER CIRCUIT
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Pub. No.:    WO/2018/054151    International Application No.:    PCT/CN2017/093246
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 18.07.2017
IPC:
H03F 1/26 (2006.01), H03F 3/195 (2006.01), H03F 3/21 (2006.01), H03F 3/24 (2006.01)
Applicants: HUAXUN SATELLITE COMMUNICATIONS CO., LTD. [CN/CN]; The 2nd Floor, No.37 Building, Chentian Industrial Zone, 1st Baotian Road, Xixiang Street, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518102 (CN).
CHINA COMMUNICATION TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; The 1st Floor and the West Part of 2nd Floor, No.37 Building, Chentian Industrial Zone, 1st Baotian Road, Xixiang, Bao'an District Shenzhen, Guangdong 518102 (CN)
Inventors: CHEN, Jiacheng; (CN).
FAN, Congming; (CN).
YAO, Jianke; (CN).
DING, Qing; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Priority Data:
201610853930.0 26.09.2016 CN
Title (EN) LOW-NOISE AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT
(ZH) 低噪声放大电路
Abstract: front page image
(EN)A low-noise amplifier circuit, comprising cascaded multiple stages of low-noise amplifiers (M1, M2, …, Mn), and a first biasing unit (110) or a second biasing unit (120) which is used for biasing each stage of the low-noise amplifiers (M1, M2, …, Mn). The first biasing unit (110) is used for biasing a forward-stage low-noise amplifier in the multiple stages of low-noise amplifiers (M1, M2, …, Mn). The second biasing unit (120) is used for a backward-stage low-noise amplifier in the multiple stages of low-noise amplifiers (M1, M2, …, Mn). The second biasing unit (120) is also used for providing a bias voltage to the first biasing unit (110). Alternatively, the first biasing unit (110) is used for biasing each of the multiple stages of low-noise amplifiers (M1, M2, …, Mn). Only one or two biasing units are required for biasing multiple stages of low-noise amplifiers (M1, M2, …, Mn) in the low-noise amplifier circuit to enable each stage of low-noise amplifiers work in an optimal state. The low-noise amplifier circuit is simple in structure and low in costs, and also saves the usable area of a PCB board.
(FR)Cette invention concerne un circuit amplificateur à faible bruit, comprenant de multiples étages en cascade d'amplificateurs à faible bruit (M1, M2, …, Mn), et une première unité de polarisation (110) ou une seconde unité de polarisation (120) qui est utilisée pour polariser chaque étage des amplificateurs à faible bruit (M1, M2, …, Mn). La première unité de polarisation (110) est utilisée pour polariser un amplificateur à faible bruit d'étage avant dans les multiples étages d'amplificateurs à faible bruit (M1, M2, …, Mn). La seconde unité de polarisation (120) est utilisée pour un amplificateur à faible bruit d'étage arrière dans les multiples étages d'amplificateurs à faible bruit (M1, M2, …, Mn). La seconde unité de sollicitation (120) est également utilisée pour fournir une tension de polarisation à la première unité de polarisation (110). En variante, la première unité de polarisation (110) est utilisée pour polariser chacun des multiples étages d'amplificateurs à faible bruit (M1, M2, …, Mn). Seule une ou deux unités de polarisation sont nécessaires pour polariser de multiples étages d'amplificateurs à faible bruit (M1, M2, …, Mn) dans le circuit amplificateur à faible bruit pour permettre à chaque étage d'amplificateurs à faible bruit de fonctionner dans un état optimal. Le circuit amplificateur à faible bruit est de structure simple et de coût réduit, et il permet en outre d'économiser la zone utilisable d'une carte de circuit imprimé.
(ZH)一种低噪声放大电路。上述低噪声放大电路,包括级联的多级低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)、对每一级所述低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)进行偏置的第一偏置单元(110)或第二偏置单元(120),其中,对多级所述低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)中前级低噪声放大器进行偏置的为所述第一偏置单元(110),对多级所述低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)中后级低噪声放大器进行偏置的为所述第二偏置单元(120),所述第二偏置单元(120)还用于对所述第一偏置单元(110)提供偏置电压;或对多级所述低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)中每一级所述低噪声放大器进行偏置的均为所述第一偏置单元(110)。该低噪声放大电路中的多级低噪声放大器(M1、M2、…、Mn)仅需要一种或两种偏置单元为其进行偏置,就能使各级低噪声放大器处于最佳的工作状态,其结构简单、成本低,同时也节约了PCB板的使用面积。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)