WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2018054101) WAFER LEVEL PACKAGE-BASED MEMS WIND SPEED AND DIRECTION SENSOR STRUCTURE AND PACKAGING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/054101 International Application No.: PCT/CN2017/088026
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 13.06.2017
IPC:
G01P 5/12 (2006.01) ,G01P 13/02 (2006.01)
Applicants: SOUTHEAST UNIVERSITY[CN/CN]; No. 2 Sipailou, Xuanwu Nanjing, Jiangsu 210096, CN
Inventors: HUANG, Qingan; CN
GAO, Shixuan; CN
QIN, Ming; CN
YI, Zhenxiang; CN
Agent: NANJING JINGWEI PATENT & TRADEMARK AGENCY CO., LTD; 12th FL.-B No. 179 Zhongshan Road, Gulou Nanjing, Jiangsu 210005, CN
Priority Data:
201610840148.521.09.2016CN
Title (EN) WAFER LEVEL PACKAGE-BASED MEMS WIND SPEED AND DIRECTION SENSOR STRUCTURE AND PACKAGING METHOD
(FR) STRUCTURE DE CAPTEUR DE VITESSE ET DE DIRECTION DE VENT D'UN MEMS FONDÉ SUR UN BOÎTIER DE NIVEAU DE TRANCHE ET PROCÉDÉ DE CONDITIONNEMENT
(ZH) 一种基于圆片级封装的MEMS风速风向传感器结构及封装方法
Abstract: front page image
(EN) Provided are a wafer level package-based microelectromechanical system (MEMS) wind speed and direction sensor structure and packaging method, wherein a front surface of a silicon wafer (20) is wafer-level packaged on a ceramic substrate (90) using flip-chip bonding, and a back surface of the ceramic substrate (90) is used as an interface for a sensor to contact wind. It is only necessary to bond the silicon wafer (20) and the ceramic substrate (90) at low temperature. In a sensor obtained from scribing, a center temperature measurement element (28), a heating element (26) and a thermal sensing temperature measurement element (24) may be connected to a circuit by means of a silicon through hole so as to carry out control and detection on a silicon chip. Hot ends of the heating element (26), the center temperature measurement element (28) and the thermal sensing temperature measurement element (24) closely cling to the ceramic substrate (90) so as to achieve better thermal contact between the silicon chip (20) and the ceramic substrate (90). Thus, cost may be reduced, sensitivity may be improved and response time may be reduced in comparison to a previous structure. The wafer level package-based MEMS wind speed and direction sensor structure has the advantages of low cost, high sensitivity, fast response time and a simple manufacturing process.
(FR) L'invention concerne une structure de capteur de vitesse et de direction de vent d'un système microélectromécanique (MEMS) fondé sur un boîtier de niveau de tranche et un procédé de conditionnement, une surface avant d'une tranche de silicium (20) étant conditionnée au niveau de la tranche sur un substrat en céramique (90) à l'aide d'une liaison par puce retournée et une surface arrière du substrat en céramique (90) étant utilisée en tant qu'interface pour un capteur afin d'entrer en contact avec le vent. Il est seulement nécessaire de coller la tranche de silicium (20) et le substrat céramique (90) à basse température. Dans un capteur obtenu à partir d'un traçage, un élément de mesure de température centrale (28), un élément chauffant (26) et un élément de mesure de température de détection thermique (24) peuvent être connectés à un circuit au moyen d'un trou traversant en silicium de façon à réaliser une commande et une détection sur une puce de silicium. Des extrémités chaudes de l'élément chauffant (26), de l'élément de mesure de température centrale (28) et de l'élément de mesure de température de détection thermique (24) adhérent étroitement au substrat céramique (90) de manière à obtenir un meilleur contact thermique entre la puce de silicium (20) et le substrat céramique (90). Ainsi, le coût peut être réduit, la sensibilité peut être améliorée et le temps de réponse peut être réduit par rapport à une structure précédente. La structure de capteur de vitesse et de direction de vent d'un MEMS fondé sur un boîtier de niveau de tranche présente les avantages d'un faible coût, d'une sensibilité élevée, d'un temps de réponse rapide et d'un procédé de fabrication simple.
(ZH) 提供一种基于圆片级封装的MEMS风速风向传感器结构及封装方法,其将硅圆片(20)正面以倒装焊的方式圆片级封装在陶瓷基板(90)上,而陶瓷基板(90)的反面作为传感器和风接触的界面,仅需要对硅圆片(20)和陶瓷基板(90)低温键合,进行划片得到的传感器中,硅芯片上可以通过硅通孔将中心测温元件(28),加热元件(26)和热传感测温元件(24)连接到电路上进行控制和检测。为了将硅芯片(20)和陶瓷基板(90)更好的热接触,加热元件(26),中心测温元件(28)和热传感测温元件(24)的热端紧贴陶瓷基板(90)。这样相对于之前的结构,可以降低成本,提高灵敏度和降低响应时间。该基于圆片级封装的MEMS风速风向传感器具有成本低、灵敏度高,响应时间快以及制作工艺简单的优点。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)