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1. (WO2018053707) THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME, AND FABRICATING METHOD THEREOF
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Pub. No.:    WO/2018/053707    International Application No.:    PCT/CN2016/099573
Publication Date: 29.03.2018 International Filing Date: 21.09.2016
IPC:
G02F 1/1343 (2006.01), G02F 1/13363 (2006.01), H01L 21/77 (2017.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventors: WANG, Ke; (CN).
NING, Ce; (CN)
Agent: TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
Title (EN) THIN FILM TRANSISTOR, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME, AND FABRICATING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET PANNEAU D'AFFICHAGE LE COMPORTANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)A thin film transistor, a display substrate and display panel having the same, and a fabricating method thereof. The thin film transistor includes a base substrate (BS);an active layer (AL) on the base substrate (BS) having a channel region (CR), a first electrode contact region (SCR), and a second electrode contact region (DCR);and a first electrode (S) on a side of the first electrode contact region (SCR) distal to the base substrate (BS);and a second electrode (D) on a side of the second electrode contact region (DCR) distal to the base substrate (BS);the first electrode (S) and the second electrode (D) being made of an amorphous carbon material.
(FR)L'invention concerne un transistor à couches minces, un substrat d'affichage et un panneau d'affichage le comportant, et un procédé de fabrication de celui-ci. Le transistor à couches minces comprend un substrat de base (BS); une couche active (AL) sur le substrat de base (BS) comportant une région de canal (CR), une première région de contact d'électrode (SCR) et une deuxième région de contact d'électrode (DCR); et une première électrode (S) sur un côté de la première région de contact d'électrode (SCR) distale du substrat de base (BS); et une deuxième électrode (D) sur un côté de la deuxième région de contact d'électrode (DCR) distale du substrat de base (BS); la première électrode (S) et la deuxième électrode (D) étant constituées d'un matériau carboné amorphe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)