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1. (WO2018052759) THICK TUNGSTEN HARDMASK FILMS DEPOSITION ON HIGH COMPRESSIVE/TENSILE BOW WAFERS
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Pub. No.: WO/2018/052759 International Application No.: PCT/US2017/050105
Publication Date: 22.03.2018 International Filing Date: 05.09.2017
IPC:
H01L 21/033 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventors: WANG, Jiarui; US
KULSHRESHTHA, Prashant Kumar; US
VENKATASUBRAMANIAN, Eswaranand; US
ROY, Susmit Singha; US
LEE, Kwangduk Douglas; US
Agent: PATTERSON, B. Todd; US
VER STEEG, Steven H.; US
Priority Data:
62/393,95613.09.2016US
Title (EN) THICK TUNGSTEN HARDMASK FILMS DEPOSITION ON HIGH COMPRESSIVE/TENSILE BOW WAFERS
(FR) DÉPÔT DE FILMS DE MASQUE DUR ÉPAIS EN TUNGSTÈNE SUR DES TRANCHES À HAUTE RÉSISTANCE À LA COMPRESSION/TRACTION PAR FLEXION
Abstract: front page image
(EN) Implementations of the present disclosure generally relate to the fabrication of integrated circuits. More particularly, the implementations described herein provide techniques for deposition of thick hardmask films on a substrate. In one implementation, a method of forming a hardmask layer on a substrate is provided. The method comprises applying a chucking voltage to a substrate positioned on an electrostatic chuck in a processing chamber, forming a seed layer comprising boron on a film stack disposed on a substrate by supplying a seed layer gas mixture in the processing chamber while maintaining the chucking voltage, forming a transition layer comprising boron and tungsten on the seed layer by supplying a transition layer gas mixture in the processing chamber and forming a bulk hardmask layer on the transition layer by supplying a main deposition gas mixture in the processing chamber.
(FR) Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne généralement la fabrication des circuits intégrés. Plus particulièrement, les modes de réalisation décrits portent sur des techniques de dépôt de films de masque dur épais sur un substrat. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de formation d'une couche de masque dur sur un substrat. Le procédé comprend l'application d'une tension de serrage à un substrat positionné sur un mandrin électrostatique dans une chambre de traitement, la formation d'une couche de germe comprenant du bore sur un empilement de film disposé sur un substrat en fournissant un mélange gazeux de couche de germe dans la chambre de traitement tout en maintenant la tension de serrage, la formation d'une couche de transition comprenant du bore et du tungstène sur la couche de germe en fournissant un mélange gazeux de couche de transition dans la chambre de traitement, et la formation d'une couche de masque dur massive sur la couche de transition en fournissant un mélange de gaz de dépôt principal dans la chambre de traitement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)