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1. (WO2018052477) AN INTEGRATED METHOD FOR WAFER OUTGASSING REDUCTION
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Pub. No.:    WO/2018/052477    International Application No.:    PCT/US2017/015348
Publication Date: 22.03.2018 International Filing Date: 27.01.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: YAN, Chun; (US).
BAO, Xinyu; (US).
CHUNG, Hua; (US).
CHU, Schubert S.; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; (US).
TACKETT, Keith M.; (US)
Priority Data:
62/395,212 15.09.2016 US
Title (EN) AN INTEGRATED METHOD FOR WAFER OUTGASSING REDUCTION
(FR) PROCÉDÉ INTÉGRÉ DE RÉDUCTION DE DÉGAZAGE DE TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)Implementations disclosed herein relate to methods for controlling substrate outgassing. In one implementation, the method includes removing oxides from an exposed surface of a substrate in an inductively coupled plasma chamber, forming an epitaxial layer on the exposed surface of the substrate in an epitaxial deposition chamber, and performing an outgassing control of the substrate by subjecting the substrate to a first plasma formed from a first etch precursor in the inductively coupled plasma chamber at a first chamber pressure, wherein the first etch precursor comprises a hydrogen-containing precursor, a chlorine-containing precursor, and an inert gas, and subjecting the substrate to a second plasma formed from a second etch precursor in the inductively coupled plasma chamber at a second chamber pressure that is higher than the first chamber pressure, wherein the second etch precursor comprises a hydrogen-containing precursor and an inert gas.
(FR)Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne des procédés de commande de dégazage de substrat. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à éliminer des oxydes d'une surface exposée d'un substrat dans une chambre à plasma inductif, à former une couche épitaxiale sur la surface exposée du substrat dans une chambre de dépôt épitaxial, et à effectuer une commande de dégazage du substrat en soumettant le substrat à un premier plasma formé à partir d'un premier précurseur de gravure dans la chambre à plasma inductif à une première pression de chambre, le premier précurseur de gravure comprenant un précurseur contenant de l'hydrogène, un précurseur contenant du chlore et un gaz inerte, et en soumettant le substrat à un second plasma formé à partir d'un second précurseur de gravure dans la chambre à plasma inductif à une seconde pression de chambre qui est supérieure à la première pression de chambre, le second précurseur de gravure comprenant un précurseur contenant de l'hydrogène et un gaz inerte.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)