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1. (WO2018052397) BUFFER LAYER TO PREVENT ETCHING BY PHOTORESIST DEVELOPER
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Pub. No.:    WO/2018/052397    International Application No.:    PCT/US2016/051464
Publication Date: 22.03.2018 International Filing Date: 13.09.2016
IPC:
G03F 7/09 (2006.01), H01L 39/00 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01)
Applicants: GOOGLE LLC [US/US]; 1600 Amphitheatre Parkway Mountain View, California 94043 (US)
Inventors: MEGRANT, Anthony Edward; (US)
Agent: VALENTINO, Joseph; (US)
Priority Data:
Title (EN) BUFFER LAYER TO PREVENT ETCHING BY PHOTORESIST DEVELOPER
(FR) COUCHE TAMPON POUR EMPÊCHER LA GRAVURE PAR DÉVELOPPEUR DE PHOTORÉSINE
Abstract: front page image
(EN)A method includes: providing a device having a first layer and a second layer in contact with a surface of the first layer, in which the second layer includes a first superconductor material; forming a buffer material on the second layer to form an etch buffer layer, in which an etch rate selectivity of the buffer material relative to the second layer upon exposure to a photoresist developer is such that the underlying second layer is not etched during exposure of the buffer layer to the photoresist developer; depositing and removing a selected portion of a resist layer to uncover a first portion of the etch buffer layer, wherein removing the selected portion of the resist layer comprises applying the photoresist developer to the selected portion of the resist layer..
(FR)Selon l'invention, un procédé comprend les étapes suivantes : fournir un dispositif comportant une première couche et une deuxième couche en contact avec une surface de la première couche, dans lequel la deuxième couche comprend un premier matériau supraconducteur ; former un matériau tampon sur la deuxième couche pour former une couche tampon de gravure, dans laquelle une sélectivité de vitesse de gravure du matériau tampon par rapport à la deuxième couche lors de l'exposition à un développeur de photorésine est telle que la deuxième couche sous-jacente n'est pas gravée pendant l'exposition de la couche tampon au développeur de photorésine ; déposer et enlever une partie sélectionnée d'une couche de réserve pour découvrir une première partie de la couche tampon de gravure, où le retrait de la partie sélectionnée de la couche de réserve consiste à appliquer le développeur de photorésine à la partie sélectionnée de la couche de réserve.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)