JP2017033208 MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

1. (WO2018052062) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE

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Pub. No.:		WO/2018/052062		International Application No.:		PCT/JP2017/033208
Publication Date:		22.03.2018		International Filing Date:		14.09.2017

IPC:

H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)

Applicants:

TDK CORPORATION [JP/JP]; 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023 (JP)

Inventors:

SUZUKI Tsuyoshi; (JP)

Agent:

TANAI Sumio; (JP).
ARA Norihiko; (JP).
IIDA Masato; (JP).
OGINO Akihiro; (JP)

Priority Data:

2016-179124

14.09.2016

Title

(EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE AND MAGNETORESISTANCE EFFECT MODULE
(FR) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE ET MODULE À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
(JA) 磁気抵抗効果デバイスおよび磁気抵抗効果モジュール

Abstract:

(EN)Provided is a magnetoresistance effect device (1000) including: a first magnetoresistance effect element (101) including a first ferromagnetic layer (102), a second ferromagnetic layer (104), and a first spacer layer (103); a metal layer (111); a first electrode (107); an input terminal (108); an output terminal (109); and a reference potential terminal (110), wherein the first ferromagnetic layer, the first spacer layer, the second ferromagnetic layer, and the first electrode are arranged in this order, the second ferromagnetic layer electrically contacts the first electrode, the first electrode is connected to an output terminal through which a high-frequency signal is output, the metal layer is connected to the input terminal and the reference potential terminal such that a high-frequency signal flowing from the input terminal to the metal layer flows to the reference potential terminal, and the first ferromagnetic layer electrically contacts the reference potential terminal and includes an application terminal (106) which applies a DC current or DC voltage to the first magnetoresistance effect element.
(FR)L'invention concerne un dispositif à effet de magnétorésistance (1000) comprenant : un premier élément à effet de magnétorésistance (101) comprenant une première couche ferromagnétique (102), d'une seconde couche ferromagnétique (104), et d'une première couche d'espaceur (103) ; une couche métallique (111) ; une première électrode (107) ; une borne d'entrée (108) ; une borne de sortie (109) ; et une borne de potentiel de référence (110), la première couche ferromagnétique, la première couche d'espaceur, la seconde couche ferromagnétique, et la première électrode étant agencées dans cet ordre, la seconde couche ferromagnétique étant en contact électrique avec la première électrode, la première électrode étant connectée à une borne de sortie par l'intermédiaire de laquelle un signal haute fréquence est délivré en sortie, la couche métallique étant connectée à la borne d'entrée et à la borne de potentiel de référence de sorte qu'un signal haute fréquence circulant de la borne d'entrée vers la couche métallique circule vers la borne de potentiel de référence, et la première couche ferromagnétique étant en contact électrique avec la borne de potentiel de référence et comprenant une borne d'application (106) qui applique un courant continu ou une tension continue au premier élément à effet de magnétorésistance.
(JA)第１の強磁性層（102）と第２の強磁性層（104）と第１のスペーサ層（103）とを有する第１の磁気抵抗効果素子（101）と，金属層（111）と，第１の電極（107）と，入力端子（108）と，出力端子（109）と，基準電位端子（110）とを有し，前記第１の強磁性層，前記第１のスペーサ層，前記第２の強磁性層および前記第１の電極はこの順で配置され，前記第２の強磁性層は前記第１の電極と電気的に接し，前記第１の電極は高周波信号を出力する出力端子に接続され，前記入力端子から前記金属層に流れる高周波信号が前記基準電位端子に流れるように，前記金属層は前記入力端子と前記基準電位端子に接続され，前記第１の強磁性層は前記基準電位端子と電気的に接し，前記第１の磁気抵抗効果素子に直流電流，もしくは直流電圧を印加するための印加端子（106）を備える磁気抵抗効果デバイス（1000）を提供する。

Designated States:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

Publication Language:	Japanese (JA)
Filing Language:	Japanese (JA)

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