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1. (WO2018051961) PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
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Pub. No.:    WO/2018/051961    International Application No.:    PCT/JP2017/032758
Publication Date: 22.03.2018 International Filing Date: 12.09.2017
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), B29C 59/02 (2006.01), C09D 5/00 (2006.01), C09D 201/00 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: GOTO Yuichiro; (JP)
Agent: SIKS & CO.; 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Priority Data:
2016-182387 16.09.2016 JP
Title (EN) PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) パターン形成方法および半導体素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: a pattern forming method which has improved fillability of a curable composition for imprinting onto a substrate; and a method for producing a semiconductor element, which utilizes this pattern forming method. A pattern forming method which comprises: a step for forming a primer layer on the surface of an adhesion layer that is positioned on a substrate, said primer layer having a higher critical surface tension than the adhesion layer; and a step for applying a curable composition for imprinting to the surface of the primer layer.
(FR)L'invention concerne : un procédé de formation de motif qui a une aptitude à la formation de film améliorée d'une composition durcissable pour une impression sur un substrat; et un procédé de production d'un élément semi-conducteur, qui utilise ce procédé de formation de motif. Un procédé de formation de motif comprend : une étape consistant à former une couche d'apprêt sur la surface d'une couche d'adhérence qui est positionnée sur un substrat, ladite couche d'apprêt ayant une tension de surface critique supérieure à celle de la couche d'adhérence; et une étape d'application d'une composition durcissable pour l'impression sur la surface de la couche d'apprêt.
(JA)インプリント用硬化性組成物の基板上への充填性を改善したパターン形成方法、および、上記パターン形成方法を利用した半導体素子の製造方法の提供。基板上に位置する密着層の表面に、上記密着層よりも臨界表面張力が高いプライマ層を形成する工程と、上記プライマ層の表面に、インプリント用硬化性組成物を適用する工程とを含む、パターン形成方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)