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1. (WO2018051772) GROUP-III NITRIDE LAMINATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LAMINATE
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Pub. No.:    WO/2018/051772    International Application No.:    PCT/JP2017/030706
Publication Date: 22.03.2018 International Filing Date: 28.08.2017
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636 (JP)
Inventors: KINOSHITA, Toru; (JP).
OBATA, Toshiyuki; (JP)
Agent: LEXT, P.C.; Nishi-Shinjuku Mitsui Bldg. 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023 (JP)
Priority Data:
2016-179114 14.09.2016 JP
Title (EN) GROUP-III NITRIDE LAMINATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LAMINATE
(FR) STRATIFIÉ DE NITRURE DU GROUPE III ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT LE STRATIFIÉ
(JA) III族窒化物積層体、及び該積層体を有する半導体デバイス
Abstract: front page image
(EN)Provided is a group-III nitride laminate characterized by having, on an AlN monocrystal substrate, an n-type AlXGa1-XN layer (0.5≤X<1) lattice-matched to the AlN monocrystal substrate, wherein the n-type AlXGa1-XN layer has at least a laminate structure in which a first n-type AlX1Ga1-X1N layer, a second n-type AlX2Ga1-X2N layer, and a third n-type AlX3Ga1-X3N layer are stacked in this order from the AlN monocrystal substrate side, and X1, X2, and X3 indicating the Al composition in the respective layers satisfy 0<|X1-X2|≤0.1 and 0<|X2-X3|≤0.1.
(FR)Cette invention concerne un stratifié de nitrure de groupe III caractérisé en ce qu'il présente, sur un substrat monocristallin d'AlN, une couche d'AlXGa1-XN (où 0,5≤X<1) ayant la même maille cristalline que le substrat monocristallin d'AlN, la couche d'AlXGa1-XN ayant au moins une structure stratifiée dans laquelle une première couche d'AlX1Ga1-X1N, une deuxième couche d'AlX2Ga1-X2N, et une troisième couche d'AlX3Ga1-X3N sont empilées dans cet ordre à partir du côté du substrat monocristallin d'AlN, où X1, X2 et X3 qui indiquent la composition d'Al dans les couches respectives satisfont 0<|X1-X2|≤0,1 et 0<|X2-X3|≤0,1.
(JA)AlN単結晶基板上に、該AlN単結晶基板と格子整合したn型AlXGa1-XN層(0.5≦X<1)を有し、該n型AlXGa1-XN層が、第一のn型AlX1Ga1-X1N層と、第二のn型AlX2Ga1-X2N層と、第三のn型AlX3Ga1-X3N層とを、該AlN単結晶基板側からこの順で積層した積層構造を少なくとも有し、 各層のAl組成を示すX1、X2、およびX3が、0<|X1-X2|≦0.1を満足し、かつ0<|X2-X3|≦0.1を満足することを特徴とするIII族窒化物積層体を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)