JP2017030706 GROUP-III NITRIDE LAMINATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LAMINATE

1. (WO2018051772) GROUP-III NITRIDE LAMINATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LAMINATE

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Pub. No.:		WO/2018/051772		International Application No.:		PCT/JP2017/030706
Publication Date:		22.03.2018		International Filing Date:		28.08.2017

IPC:

C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)

Applicants:

STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636 (JP)

Inventors:

KINOSHITA, Toru; (JP).
OBATA, Toshiyuki; (JP)

Agent:

LEXT, P.C.; Nishi-Shinjuku Mitsui Bldg. 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023 (JP)

Priority Data:

2016-179114

14.09.2016

Title

(EN) GROUP-III NITRIDE LAMINATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LAMINATE
(FR) STRATIFIÉ DE NITRURE DU GROUPE III ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT LE STRATIFIÉ
(JA) ＩＩＩ族窒化物積層体、及び該積層体を有する半導体デバイス

Abstract:

(EN)Provided is a group-III nitride laminate characterized by having, on an AlN monocrystal substrate, an n-type Al_XGa_1-XN layer (0.5≤X<1) lattice-matched to the AlN monocrystal substrate, wherein the n-type Al_XGa_1-XN layer has at least a laminate structure in which a first n-type Al_X1Ga_1-X1N layer, a second n-type Al_X2Ga_1-X2N layer, and a third n-type Al_X3Ga_1-X3N layer are stacked in this order from the AlN monocrystal substrate side, and X1, X2, and X3 indicating the Al composition in the respective layers satisfy 0<|X1-X2|≤0.1 and 0<|X2-X3|≤0.1.
(FR)Cette invention concerne un stratifié de nitrure de groupe III caractérisé en ce qu'il présente, sur un substrat monocristallin d'AlN, une couche d'Al_XGa_1-XN (où 0,5≤X<1) ayant la même maille cristalline que le substrat monocristallin d'AlN, la couche d'Al_XGa_1-XN ayant au moins une structure stratifiée dans laquelle une première couche d'Al_X1Ga_1-X1N, une deuxième couche d'Al_X2Ga_1-X2N, et une troisième couche d'Al_X3Ga_1-X3N sont empilées dans cet ordre à partir du côté du substrat monocristallin d'AlN, où X1, X2 et X3 qui indiquent la composition d'Al dans les couches respectives satisfont 0<|X1-X2|≤0,1 et 0<|X2-X3|≤0,1.
(JA)ＡｌＮ単結晶基板上に、該ＡｌＮ単結晶基板と格子整合したｎ型Ａｌ_XＧａ_1-XＮ層（０．５≦Ｘ＜１）を有し、該ｎ型Ａｌ_XＧａ_1-XＮ層が、第一のｎ型Ａｌ_X1Ｇａ_1-X1Ｎ層と、第二のｎ型Ａｌ_X2Ｇａ_1-X2Ｎ層と、第三のｎ型Ａｌ_X3Ｇａ_1-X3Ｎ層とを、該ＡｌＮ単結晶基板側からこの順で積層した積層構造を少なくとも有し、　各層のＡｌ組成を示すＸ１、Ｘ２、およびＸ３が、０＜｜Ｘ１－Ｘ２｜≦０．１を満足し、かつ０＜｜Ｘ２－Ｘ３｜≦０．１を満足することを特徴とするＩＩＩ族窒化物積層体を提供する。

Designated States:

AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

Publication Language:	Japanese (JA)
Filing Language:	Japanese (JA)

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