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1. (WO2018051472) METHOD FOR REMOVING CHLORINE TRIFLUORIDE CLEANING RESIDUES IN SIC EPITAXIAL GROWTH FURNACE SYSTEM
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Pub. No.: WO/2018/051472 International Application No.: PCT/JP2016/077330
Publication Date: 22.03.2018 International Filing Date: 15.09.2016
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C30B 25/14 (2006.01)
Applicants: IWATANI CORPORATION[JP/JP]; 6-4, Hommachi 3-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
Inventors: MANABE Toshiki; JP
ONO Ryoei; JP
SHOJO Tadashi; JP
Agent: SUZUE Shoji; JP
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR REMOVING CHLORINE TRIFLUORIDE CLEANING RESIDUES IN SIC EPITAXIAL GROWTH FURNACE SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE RETRAIT DE RÉSIDUS DE NETTOYAGE DE TRIFLUORURE DE CHLORE POUR SYSTÈME DE FOUR DE CROISSANCE ÉPITAXIALE DE SIC
(JA) SiCエピタキシャル成長炉系における三フッ化塩素クリーニング残渣除去方法
Abstract:
(EN) The present invention reduces the cleaning time and accelerates formation of a SiC film in a SiC epitaxial growth furnace system. Provided is a method for, after a SiC epitaxial growth furnace system including an epitaxial growth furnace for formation of a SiC film and an exhaust pipe therefor is cleaned by using a chlorine trifluoride gas, removing chlorine trifluoride cleaning residues adhered to and remaining in the interior of the exhaust pipe. After the cleaning using the chlorine trifluoride gas has ended, a raw material gas and a hydrogen chloride gas are introduced together into the epitaxial growth furnace in a SiC film formation step. As a result, while the SiC film formation is performed, the gas used in the process is allowed to flow into the exhaust pipe. The gas used in the process contains hydrogen molecules, hydrogen radicals, and the like, by which chlorine trifluoride cleaning residues are removed from the interior of the exhaust pipe.
(FR) Selon l’invention, la durée de nettoyage d’un système de four de croissance épitaxiale de SiC est raccourcie, et la formation d’un film de SiC est favorisée. Plus précisément, l’invention concerne un procédé destiné à retirer des résidus de nettoyage de trifluorure de chlore en adhésion et ainsi retenus à l’intérieur d’un tuyau d’échappement de gaz après nettoyage au moyen d’un gaz de trifluorure de chlore d’un système de four de croissance épitaxiale de SiC dans lequel a lieu la formation du film de SiC et qui contient un four de croissance épitaxiale et le tuyau d’échappement de gaz. Lorsque le nettoyage au gaz de trifluorure de chlore prend fin, un gaz de chlorure d’hydrogène est introduit avec un gaz de départ à l’intérieur du four de croissance épitaxiale lors d’une étape de formation de film SiC. Ainsi, la formation de film SiC a lieu, et simultanément le gaz après traitement s’écoule dans le tuyau d’échappement de gaz. Des molécules d’hydrogène et des radicaux d’hydrogène étant contenus dans ce gaz après traitement, les résidus de nettoyage de trifluorure de chlore se trouvant à l’intérieur du tuyau d’échappement de gaz sont ainsi retirés.
(JA) SiCエピタキシャル成長炉系におけるクリーニング時間を短縮するとともに、SiC成膜を促進する。 SiC成膜を行うエピタキシャル成長炉とその排気配管とを含むSiCエピタキシャル成長炉系を三フッ化塩素ガスによりクリーニングした後に排気配管内に付着残留した三フッ化塩素クリーニング残渣を除去する方法である。三フッ化塩素ガスによるクリーニング終了後、SiC成膜工程においてエピタキシャル成長炉内に原料ガスとともに塩化水素ガスを導入する。これにより、SiCの成膜を行うとともに、その処理済みガスを排気配管に流す。この処理済みガスには、水素分子や水素ラジカル等が含まれているため、これらにより排気配管内の三フッ化塩素クリーニング残渣は除去されることになる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)