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1. (WO2018050758) DEVICE FOR PERFORMING ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE
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Pub. No.: WO/2018/050758 International Application No.: PCT/EP2017/073165
Publication Date: 22.03.2018 International Filing Date: 14.09.2017
IPC:
H01J 37/32 (2006.01) ,C23C 16/06 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
Applicants: LUXEMBOURG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (LIST)[LU/LU]; 5, avenue des Hauts-Fourneaux 4362 Esch-sur-Alzette, LU
Inventors: BABA, Kamal; LU
BOSCHER, Nicolas; FR
BULOU, Simon; FR
CHOQUET, Patrick; FR
GERARD, Mathieu; FR
QUESADA GONZALEZ, Miguel; LU
Agent: LECOMTE & PARTNERS; P.O. Box 1623 1016 Luxembourg, LU
Priority Data:
9322115.09.2016LU
Title (EN) DEVICE FOR PERFORMING ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION AT LOW TEMPERATURE
(FR) DISPOSITIF POUR RÉALISER UN DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA À PRESSION ATMOSPHÉRIQUE À BASSE TEMPÉRATURE
Abstract: front page image
(EN) The invention is directed to a plasma post-discharge deposition device (100) for depositing crystalline metal oxide derivative on a substrate (112), said device comprising a gas source (116) with a substrate inlet (102), a post-discharge deposition chamber (110) with a substrate outlet (104), said substrate inlet and said substrate outlet defining a longitudinal central axis, and a dielectric tube (108) placed between said gas source and said deposition chamber on said longitudinal central axis; configured to confine a plasma discharge and comprising a discharge zone lying on the internal surface of said dielectric tube and a central zone centred on said longitudinal central axis. Said deposition device is remarkable in that said central zone is located at a distance comprised between 1 mm and 2.5 mm from the internal surface of said dielectric tube. The invention is also directed to a plasma-enhanced chemical vapour deposition method.
(FR) L'invention concerne un dispositif de dépôt post-décharge de plasma (100) pour déposer un dérivé d'oxyde métallique cristallin sur un substrat (112), ledit dispositif comprenant une source de gaz (116) avec une entrée de substrat (102), une chambre de dépôt post-décharge (110) avec une sortie de substrat (104), ladite entrée de substrat et ladite sortie de substrat définissant un axe central longitudinal, et un tube diélectrique (108) placé entre ladite source de gaz et ladite chambre de dépôt sur ledit axe central longitudinal; configurée pour confiner une décharge de plasma et comprenant une zone de décharge reposant sur la surface interne dudit tube diélectrique et une zone centrale centrée sur ledit axe central longitudinal. Ledit dispositif de dépôt est remarquable en ce que ladite zone centrale est située à une distance comprise entre 1 mm et 2,5 mm de la surface interne dudit tube diélectrique. L'invention concerne également un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)