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1. (WO2018049670) DIELECTRIC-INSULATING MAGNETIC ELECTRODE HELICAL ARC-RESISTANT PROCESSING TECHNIQUE
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Pub. No.:    WO/2018/049670    International Application No.:    PCT/CN2016/099296
Publication Date: 22.03.2018 International Filing Date: 19.09.2016
IPC:
H01C 7/12 (2006.01), H01C 1/14 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHENJU ELECTRONIC TECHNOLOGY LTD. [CN/CN]; F11, Qinghai Building Futian District Shenzhen, Guangdong 518000 (CN)
Inventors: XIAO, Xiaoju; (CN)
Agent: SHENZHEN QIANNA PATENT AGENCY LTD; Room 601-605, Unit West, Xincheng Building Shennan Road Central Futian Shenzhen, Guangdong 518031 (CN)
Priority Data:
Title (EN) DIELECTRIC-INSULATING MAGNETIC ELECTRODE HELICAL ARC-RESISTANT PROCESSING TECHNIQUE
(FR) TECHNIQUE DE TRAITEMENT RÉSISTANT À L'ARC HÉLICOÏDAL D'ÉLECTRODE MAGNÉTIQUE À ISOLATION DIÉLECTRIQUE
(ZH) 电介质绝缘磁极螺旋抗弧处理技术
Abstract: front page image
(EN)A dielectric-insulating magnetic electrode helical arc-resistant processing technique. In the technique, an electrode (3) is disposed on an electronic device body (1), and has a helical shape. When an electric current flows through the electrode, a generated axial magnetic field is perpendicular to a surface of the electrode of a chip. A Lorentz force generated by the axial magnetic field drives electrons in a body of the chip to move forward in a helical manner. Wire terminals are arranged at a central region. The electrical current ultimately flows to the central region, such that a surface current density significantly drops at the center to reduce the field strength between the wire terminals, thereby preventing an arc from being formed between two wire terminals at the central region. According to experiments, the helical MOV has an energy absorption capability 3-4 times of that of the prior art, and exhibits a hot melt- and breakdown-resistant capability of a MOV. The helical MOV has a persistent over-voltage-resistant temperature 1.7-2.0 times of the temperature of a linear L-type wire voltage-dependent varistor, reaching up to 150-174 ℃ and completely exceeding the average industry standard.
(FR)L'invention concerne une technique de traitement résistant à l'arc hélicoïdal d'électrode magnétique à isolation diélectrique. Dans la technique, une électrode (3) est disposée sur un corps de dispositif électronique (1), et a une forme hélicoïdale. Lorsqu'un courant électrique circule à travers l'électrode, un champ magnétique axial généré est perpendiculaire à une surface de l'électrode d'une puce. Une force de Lorentz générée par le champ magnétique axial entraîne des électrons dans un corps de la puce pour se déplacer vers l'avant de manière hélicoïdale. Des bornes de fil sont agencées au niveau d'une région centrale. Le courant électrique s'écoule finalement vers la région centrale, de telle sorte qu'une densité de courant de surface chute de manière significative au centre pour réduire l'intensité de champ entre les bornes de fil, empêchant ainsi un arc d'être formé entre deux bornes de fil au niveau de la région centrale. Selon des expériences, le MOV hélicoïdal a une capacité d'absorption d'énergie 3-4 fois celle de l'état de la technique, et présente une capacité de fusion à chaud et de résistance au claquage d'un MOV. Le MOV hélicoïdal a une température de résistance à la surtension persistante 1,7-2,0 fois la température d'une varistance dépendante de tension de fil de type L linéaire, atteignant 150 à 174 °C et dépassant complètement la norme industrielle moyenne.
(ZH)一种电介质绝缘磁极螺旋抗弧处理技术,该技术为在电子元器件本体(1)上设置有电极(3),电极(3)呈螺旋线形,当通过电流时,产生垂直于芯片电极表面的轴向磁场,轴向磁场产生的洛伦兹的作用力,使得芯片体内的电子以螺旋前进的方式运动。引线端头布置在中心区域,电流最后到达中心区域,使中心的表面电流密度大幅度下降,并减弱了引线端头间的场强,这样电流很难在中心部位引线两端头之间形成拉弧。实验中螺旋式MOV不仅有高3-4倍的能量吸收能力,而且表现出了MOV的抗热融击穿能力。其持续抗过电压温度达到直线L式引线压敏的1.7-2.0倍,温度达到在150℃~174℃,完全超出了业界的一般水平。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)