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1. (WO2018049339) HIGH PERFORMANCE SUPER-BETA NPN (SBNPN)
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Pub. No.:    WO/2018/049339    International Application No.:    PCT/US2017/050984
Publication Date: 15.03.2018 International Filing Date: 11.09.2017
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/72 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.o. Box 655474 Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1 Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only)
Inventors: BENNA, Bernhard; (DE).
SCHWARTZ, Wolfgang; (DE).
STAUFER, Berthold, Georg; (DE)
Agent: DAVIS, Michael, A., Jr.; (US).
PESSETTO, John, R.; (US)
Common
Representative:
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED; Texas Instruments Incorporated P.o. Box 655474 Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Priority Data:
15/261,024 09.09.2016 US
Title (EN) HIGH PERFORMANCE SUPER-BETA NPN (SBNPN)
(FR) NPN SUPER-BÊTA (SBNPN) HAUTE PERFORMANCE
Abstract: front page image
(EN)In described examples, a method for making a super β NPN (SBNPN) transistor includes: depositing a tetraethyl orthosilicate (TEOS) layer on a P type epitaxial layer (1102); depositing a nitride layer on the TEOS layer (1102); patterning an emitter region of the SBNPN transistor by selectively etching away portions of the nitride layer and the TEOS layer (1104); depositing a second TEOS layer on top of the nitride layer, along sides of the nitride layer and the TEOS layer, and on top of the P type epitaxial layer (1110); and implanting the P type epitaxial layer through the second TEOS layer with N type ions to form the emitter region of the SBNPN transistor (1114).
(FR)Dans des exemples de l'invention, un procédé de fabrication d'un transistor NPN super β (SBNPN) consiste à : déposer une couche d'orthosilicate de tétraéthyle (TEOS) sur une couche épitaxiale de type P (1102) ; déposer une couche de nitrure sur la couche de TEOS (1102) ; former un motif sur une région d'émetteur du transistor SBNPN par gravure sélective de parties de la couche de nitrure et de la couche de TEOS (1104) ; déposer une seconde couche de TEOS sur le dessus de la couche de nitrure, le long des côtés de la couche de nitrure et de la couche de TEOS, et au-dessus de la couche épitaxiale de type P (1110) ; et implanter la couche épitaxiale de type P à travers la seconde couche de TEOS avec des ions de type N pour former la région d'émetteur du transistor SBNPN (1114).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)