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1. (WO2018048608) REDUNDANCY ARRAY COLUMN DECODER FOR MEMORY
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Pub. No.:    WO/2018/048608    International Application No.:    PCT/US2017/047779
Publication Date: 15.03.2018 International Filing Date: 21.08.2017
IPC:
G11C 8/10 (2006.01), G11C 11/22 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632 (US)
Inventors: VIMERCATI, Daniele; (US).
GUO, Xinwei; (US)
Agent: HARRIS, Philip W.; (US)
Priority Data:
15/258,852 07.09.2016 US
Title (EN) REDUNDANCY ARRAY COLUMN DECODER FOR MEMORY
(FR) DÉCODEUR DE COLONNE À RÉSEAU DE REDONDANCE POUR MÉMOIRE
Abstract: front page image
(EN)Methods, systems, and apparatuses for redundancy in a memory array are described. A memory array may include some memory cells that are redundant to other memory cells of the array. Such redundant memory cells may be used if a another memory cell is discovered to be defective in some way; for example, after the array is fabricated and before deployment, defects in portions of the array that affect certain memory cells may be identified. Memory cells may be designated as redundant cells for numerous other memory cells of the array so that a total number of redundant cells in the array is relatively small fraction of the total number of cells of the array. A configuration of switching components may allow redundant cells to be operated in a manner that supports redundancy for numerous other cells and may limit or disturbances to neighboring cells when accessing redundancy cells.
(FR)L'invention concerne des procédés, des systèmes et des appareils pour une redondance dans un réseau de mémoire. Un réseau de mémoire peut comprendre certaines cellules de mémoire qui sont redondantes à d'autres cellules de mémoire du réseau. De telles cellules de mémoire redondantes peuvent être utilisées si une autre cellule de mémoire est découverte comme étant défectueuse d'une certaine manière ; par exemple, après la création du réseau et avant le déploiement, des défauts dans des parties du réseau qui affectent certaines cellules de mémoire peuvent être identifiés. Les cellules de mémoire peuvent être désignées comme cellules redondantes pour de nombreuses autres cellules de mémoire du réseau de sorte qu'un nombre total de cellules redondantes dans le réseau soit une fraction relativement faible du nombre total de cellules du réseau. Une configuration de composants de commutation peut permettre à des cellules redondantes d'être exploitées d'une manière qui prend en charge la redondance pour de nombreuses autres cellules et peut limiter ou perturber des cellules voisines lors de l'accès à des cellules de redondance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)