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1. (WO2018048595) POLY DIRECTIONAL ETCH BY OXIDATION
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Pub. No.:    WO/2018/048595    International Application No.:    PCT/US2017/047212
Publication Date: 15.03.2018 International Filing Date: 16.08.2017
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: CHOI, Tom; (US).
KO, Jungmin; (US).
KANG, Sean; (US)
Agent: MCCORMICK, Daniel, K.; (US).
BERNARD, Gene J.; (US)
Priority Data:
15/260,755 09.09.2016 US
Title (EN) POLY DIRECTIONAL ETCH BY OXIDATION
(FR) GRAVURE POLY-DIRECTIONNELLE PAR OXYDATION
Abstract: front page image
(EN)Processing methods may be performed to form recesses in a semiconductor substrate. The methods may include oxidizing an exposed silicon surface on a semiconductor substrate within a processing region of a semiconductor processing chamber. The methods may include forming an inert plasma within the processing region of the processing chamber. Effluents of the inert plasma may be utilized to modify the oxidized silicon. A remote plasma may be formed from a fluorine-containing precursor to produce plasma effluents. The methods may include flowing the plasma effluents to the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may also include removing the modified oxidized silicon from the semiconductor substrate.
(FR)Des procédés de traitement peuvent être réalisés pour former des évidements dans un substrat semi-conducteur. Les procédés peuvent consister à oxyder une surface de silicium exposée sur un substrat semi-conducteur dans une région de traitement d'une chambre de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent consister à former un plasma inerte dans la région de traitement de la chambre de traitement. Des effluents du plasma inerte peuvent être utilisés pour modifier le silicium oxydé. Un plasma distant peut être formé à partir d'un précurseur contenant du fluor pour produire des effluents de plasma. Les procédés peuvent consister à faire écouler des effluents de plasma vers la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteur. Les procédés peuvent également consister à retirer le silicium oxydé modifié du substrat semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)