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1. (WO2018048443) EMIB COPPER LAYER FOR SIGNAL AND POWER ROUTING
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Pub. No.:    WO/2018/048443    International Application No.:    PCT/US2016/051320
Publication Date: 15.03.2018 International Filing Date: 12.09.2016
IPC:
H01L 23/538 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: MEKONNEN, Yidnekachew S.; (US).
KIM, Dae-Woo; (US).
AYGUN, Kemal; (US).
SHARAN, Sujit; (US)
Agent: PERDOK, Monique M. / U.S. Reg. No.42,989; (US).
ARORA, Suneel / U.S. Reg. No. 42,267; (US).
BEEKMAN, Marvin / U.S. Reg. No. 38,377; (US).
BLACK, David W. / U.S. Reg. No. 42,331; (US).
GOULD, James R. / U.S. Reg. No. 72,086; (US).
SCHEER, Bradley W. / U.S. Reg. No. 47,059; (US).
WOO, Justin N. / U.S. Reg. No. 62,686; (US)
Priority Data:
Title (EN) EMIB COPPER LAYER FOR SIGNAL AND POWER ROUTING
(FR) COUCHE DE CUIVRE EMIB DESTINÉE AU ROUTAGE DE SIGNAL ET DE COURANT
Abstract: front page image
(EN)Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB) technology provides a bridge die, where the EMIB includes multiple signal and power routing layers. The EMIB eliminates the need for TSVs required by the SIP assembly silicon interposers. In an embodiment, the EMIB includes at least one copper pad. The copper pad may be configured to protect the EMIB during wafer thinning. The copper pad may be connected to another copper pad to provide signal routing, thereby increasing the signal contact density. The copper pad may be configured to provide an increased power delivery to one or more connected dies.
(FR)L'invention concerne une technologie de pont d'interconnexion multi-puce intégrée (EMIB) qui fournit une puce de pont, l'EMIB comprenant de multiples couches de routage de signal et de courant. L'EMIB rend superflues les TSV requises par les interposeurs de silicium d'ensemble SIP. Dans un mode de réalisation, l'EMIB comprend au moins une plaque de cuivre. La plaque de cuivre peut être configurée pour protéger l'EMIB pendant l'amincissement de la plaquette. La plaque de cuivre peut être connectée à une autre plaque de cuivre pour fournir un routage de signal, ce qui permet d'augmenter la densité de contact de signal. La plaque de cuivre peut être configurée pour fournir une distribution de courant accrue à une ou plusieurs puces connectées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)