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1. (WO2018047717) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING SAME
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Pub. No.:    WO/2018/047717    International Application No.:    PCT/JP2017/031466
Publication Date: 15.03.2018 International Filing Date: 31.08.2017
IPC:
H01S 5/183 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventors: HIROSE Kazuyoshi; (JP).
KUROSAKA Yoshitaka; (JP).
SUGIYAMA Takahiro; (JP).
TAKIGUCHI Yuu; (JP).
NOMOTO Yoshiro; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
SHIBAYAMA Kenichi; (JP)
Priority Data:
2016-174708 07.09.2016 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT LE COMPRENANT
(JA) 半導体発光素子およびそれを含む発光装置
Abstract: front page image
(EN)The present embodiment relates to a semiconductor light-emitting element, and the like, provided with a structure that makes it possible to remove zero-order light from light output by a S-iPM laser. The semiconductor light-emitting element has an active layer, a pair of cladding layers, and a phase modulation layer. The phase modulation layer has a base layer and a plurality of differing refractive index regions each of which is disposed in a specific location. One of the pair of cladding layers contains a distributed Bragg reflector layer that is transmissive to specific optical images in a direction inclined with respect to a light emission surface and reflective of zero-order light output along a direction normal to the light emission surface.
(FR)Le présent mode de réalisation de l'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur, et similaire, pourvu d'une structure qui permet d'éliminer la lumière d'ordre zéro de la lumière émise par un laser S-iPM. L'élément électroluminescent à semi-conducteur comporte une couche active, une paire de couches de gainage et une couche de modulation de phase. La couche de modulation de phase comprend une couche de base et une pluralité de régions d'indice de réfraction différentes, chacune étant disposée dans un emplacement spécifique. Une paire de la paire de couches de gainage contient une couche de réflecteur de Bragg distribué qui est transmissive à des images optiques spécifiques dans une direction inclinée par rapport à une surface d'émission de lumière et qui réfléchit la sortie de lumière d'ordre zéro le long d'une direction perpendiculaire à la surface d'émission de lumière.
(JA)本実施形態は、S-iPMレーザの出力光からの0次光の除去を可能にする構造を備えた半導体発光素子等に関する。当該半導体発光素子は、活性層と、一対のクラッド層と、位相変調層と、を有する。位相変調層は、基本層と、それぞれが個別に特定位置へ配置された複数の異屈折率領域と、を有する。一対のクラッド層の一方は、光出射面に対する傾斜方向の特定光像に対する透過特性と、光出射面の法線方向に沿って出力される0次光に対する反射特性を有する分布ブラッグ反射層を含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)