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1. (WO2018047300) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/047300    International Application No.:    PCT/JP2016/076649
Publication Date: 15.03.2018 International Filing Date: 09.09.2016
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H01R 11/01 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: FUJITA, Shigeto; (JP).
MATSUDA, Tetsuya; (JP)
Agent: TAKADA, Mamoru; (JP).
TAKAHASHI, Hideki; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor device is characterized by being provided with a lower electrode, a semiconductor chip which is provided above the lower electrode, a pressure pad which is provided above or below the semiconductor chip, an upper electrode which is provided above a structure in which the pressure pad and the semiconductor chip overlap, and a connection conductor which provides a new current path between the lower electrode and the upper electrode only in the case that the distance between the lower electrode and the upper electrode is greater than a predetermined value; the distance between the lower electrode and the upper electrode is variable, and regardless of the distance between the lower electrode and the upper electrode, the pressure pad electrically connects the lower electrode and the upper electrode with the semiconductor chip interposed therebetween.
(FR)Le dispositif à semi-conducteurs selon l'invention comporte: une électrode inférieure; une puce semiconductrice située au-dessus de l’électrode inférieure; des tampons de pression situés au-dessus ou au-dessous de la puce semiconductrice; une électrode située au-dessus de la structure constituée des tampons de pression et de la puce semiconductrice empilés; ainsi que, uniquement dans le cas où la distance entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure est supérieure à une valeur prédéterminée, un corps conducteur de connexion permettant d’obtenir un nouveau trajet de courant entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure. La distance entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure est ajustable, et les tampons de pression se caractérisent en ce qu’ils sont connectés électriquement à l’électrode inférieure et à l’électrode supérieure, par l’intermédiaire de la puce semiconductrice, quelle que soit la distance entre l’électrode inférieure et l’électrode supérieure.
(JA)下電極と、該下電極の上に設けられた半導体チップと、該半導体チップの上又は下に設けられたプレッシャパッドと、該プレッシャパッドと該半導体チップが重なる構造の上に設けられた上電極と、該下電極と該上電極の距離が予め定められた値より大きくなった場合にだけ、該下電極と該上電極の間に新しい電流経路を提供する接続導体と、を備え、該下電極と該上電極の間の距離は可変であり、該プレッシャパッドは該下電極と該上電極の間の距離にかかわらず該半導体チップを介して該下電極と該上電極を電気的に接続することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)