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1. (WO2018044815) ANALOG FERROELECTRIC MEMORY WITH IMPROVED TEMPERATURE RANGE
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Pub. No.:    WO/2018/044815    International Application No.:    PCT/US2017/048958
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 28.08.2017
IPC:
G11C 11/22 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), G11C 11/4096 (2006.01), G11C 11/419 (2006.01), G11C 11/56 (2006.01)
Applicants: RADIANT TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 2835 Pan American Fwy NE, Suite D Albuquerque, NM 87107-1652 (US)
Inventors: EVANS, Joseph, T., Jr.; (US).
WARD, Calvin, B.; (US)
Agent: WARD, Calvin, B.; (US)
Priority Data:
15/252,146 30.08.2016 US
Title (EN) ANALOG FERROELECTRIC MEMORY WITH IMPROVED TEMPERATURE RANGE
(FR) MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ANALOGIQUE À PLAGE DE TEMPÉRATURE AMÉLIORÉE
Abstract: front page image
(EN)A ferroelectric memory and a method for operating a ferroelectric memory are disclosed. The ferroelectric memory includes a ferroelectric memory cell having a ferroelectric capacitor characterized by a maximum remanent charge, Qmax. A write circuit receives a data value having more than two states for storage in the ferroelectric capacitor. The write circuit measures Qmax for the ferroelectric capacitor, determines a charge that is a fraction of the measured Qmax to be stored in the ferroelectric capacitor, the fraction being determined by the data value. The write circuit causes a charge equal to the fraction times Qmax to be stored in the ferroelectric capacitor. A read circuit determines a value stored in the ferroelectric capacitor by measuring a charge stored in the ferroelectric capacitor, measuring Qmax for the ferroelectric capacitor, and determining the data value from the measured charge and the measured Qmax.
(FR)La présente invention concerne une mémoire ferroélectrique et un procédé de fonctionnement d'une mémoire ferroélectrique. La mémoire ferroélectrique comprend une cellule de mémoire ferroélectrique ayant un condensateur ferroélectrique caractérisé par une charge rémanente maximale, Q max . Un circuit d'écriture reçoit une valeur de données ayant plus de deux états pour un stockage dans le condensateur ferroélectrique. Le circuit d'écriture mesure Q max pour le condensateur ferroélectrique, détermine une charge qui est une fraction de la valeur Q max devant être stockée dans le condensateur ferroélectrique, la fraction étant déterminée par la valeur de données. Le circuit d'écriture provoque le stockage d'une charge égale aux temps de fraction Q max dans le condensateur ferroélectrique. Un circuit de lecture détermine une valeur stockée dans le condensateur ferroélectrique en mesurant une charge stockée dans le condensateur ferroélectrique, en mesurant Q max pour le condensateur ferroélectrique, et en déterminant la valeur de données à partir de la charge mesurée et de la valeur Q max mesurée
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)