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1. (WO2018044712) PRECURSORS AND FLOWABLE CVD METHODS FOR MAKING LOW-K FILMS TO FILL SURFACE FEATURES
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Pub. No.: WO/2018/044712 International Application No.: PCT/US2017/048599
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 25.08.2017
IPC:
C23C 16/40 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/32 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01) ,C23C 16/56 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: VERSUM MATERIALS US, LLC[US/US]; 8555 S. River Parkway Tempe, AZ 85284, US
Inventors: LI, Jianheng; US
VRTIS, Raymond, Nicholas; US
RIDGEWAY, Robert, Gordon; US
XIAO, Manchao; US
LEI, Xinjian; US
Agent: ROSSI, Joseph, D.; US
CASEY, Kevin, R.; US
O'DONOGHUE, Elizabeth, M.; US
SPLETZER, Christopher, M.; US
FORET, Philip, J.; US
Priority Data:
15/681,10218.08.2017US
62/381,22230.08.2016US
Title (EN) PRECURSORS AND FLOWABLE CVD METHODS FOR MAKING LOW-K FILMS TO FILL SURFACE FEATURES
(FR) PRÉCURSEURS ET PROCÉDÉS DE CVD AVEC ÉCOULEMENT POUR FABRIQUER DES FILMS À FAIBLE K POUR REMPLIR DES CARACTÉRISTIQUES DE SURFACE
Abstract: front page image
(EN) A method for depositing a silicon-containing film, the method comprising: placing a substrate comprising at least one surface feature into a flowable CVD reactor which is at a temperature of from about -20 °C to about 400 °C; introducing into the reactor at least one silicon-containing compound having at least one acetoxy group to at least partially react the at least one silicon-containing compound to form a flowable liquid oligomer wherein the flowable liquid oligomer forms a silicon oxide coating on the substrate and at least partially fills at least a portion of the at least one surface feature. Once cured, the silicon oxide coating has a low k and excellent mechanical properties.
(FR) L'invention concerne un procédé de dépôt d'un film contenant du silicium, le procédé consistant : à placer un substrat comprenant au moins une caractéristique de surface dans un réacteur de CVD avec écoulement qui est à une température d'environ -20 °C à environ 400 °C ; à introduire dans le réacteur au moins un composé contenant du silicium ayant au moins un groupe acétoxy pour faire réagir au moins partiellement le composé contenant du silicium et ainsi former un oligomère liquide pouvant s'écouler, l'oligomère liquide pouvant s'écouler formant un revêtement d'oxyde de silicium sur le substrat et remplissant au moins partiellement au moins une partie de ladite caractéristique de surface. Une fois durci, le revêtement d'oxyde de silicium présente une valeur k faible et d'excellentes propriétés mécaniques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)