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1. (WO2018044330) SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
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Pub. No.: WO/2018/044330 International Application No.: PCT/US2016/050289
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 02.09.2016
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
45
Solid state devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating, or switching without a potential-jump barrier or surface barrier, e.g. dielectric triodes; Ovshinsky-effect devices; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
Applicants:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventors:
SHARMA, Abhishek A.; US
LE, Van H.; US
DEWEY, Gilbert; US
RIOS, Rafael; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
SHIVARAMAN, Shriram; US
Agent:
WANG, Yuke; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
AUYEUNG, Al; US
STRAUSS, Ryan N.; US
MOORE, Michael S.; US
MAKI, Nathan R.; US
BLAIR, Steven R.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MEININGER, Mark M.; US
LEE, Katherine D.; US
COWGER, Graciela G.; US
KIRKPATRICK, Bryan D.; US
COFIELD, Michael A.; US
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR POUR UNE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
Abstract:
(EN) Embodiments include a resistive random access memory (RRAM) storage cell, having a resistive switching material layer and a semiconductor layer between two electrodes, where the semiconductor layer serves as an OEL. In addition, the RRAM storage cell may be coupled with a transistor to form a RRAM memory cell. The RRAM memory cell may include a semiconductor layer as a channel for the transistor, and also shared with the storage cell as an OEL for the storage cell. A shared electrode may serve as a source electrode of the transistor and an electrode of the storage cell. In some embodiments, a dielectric layer may be shared between the transistor and the storage cell, where the dielectric layer is a resistive switching material layer of the storage cell.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention comprennent une cellule de stockage à mémoire vive résistive (RRAM), ayant une couche de matériau de commutation résistive et une couche semi-conductrice entre deux électrodes, la couche semi-conductrice servant de couche d'échange d'oxygène (OEL). De plus, la cellule de stockage RRAM peut être couplée à un transistor pour former une cellule de mémoire RRAM. La cellule de mémoire RRAM peut comprendre une couche semi-conductrice en tant que canal pour le transistor, et également partagée avec la cellule de stockage en tant qu'OEL pour la cellule de stockage. Une électrode partagée peut servir d'électrode de source du transistor et d'une électrode de la cellule de stockage. Dans certains modes de réalisation, une couche diélectrique peut être partagée entre le transistor et la cellule de stockage, la couche diélectrique étant une couche de matériau de commutation résistive de la cellule de stockage.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)