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1. (WO2018044167) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
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Pub. No.: WO/2018/044167 International Application No.: PCT/NL2017/050575
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 31.08.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01N 29/00 (2006.01) ,G01Q 60/32 (2010.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
66
Testing or measuring during manufacture or treatment
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
N
INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
29
Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
Q
SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING-PROBE MICROSCOPY [SPM]
60
Particular types of SPM [Scanning-Probe Microscopy] or apparatus therefor; Essential components thereof
24
AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
32
AC mode
Applicants:
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage, NL
Inventors:
SADEGHIAN MARNANI, Hamed; NL
VAN ES, Maarten Hubertus; NL
MEIJER TIMMERMAN THIJSSEN, Rutger; NL
Agent:
JANSEN, C.M.; V.O. P.O. Box 87930 2508 DH Den Haag, NL
Priority Data:
16186518.331.08.2016EP
Title (EN) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE RÉALISATION D'UNE DÉTECTION DE DÉFAUT SUR UNE COUCHE OU D'UNE CARACTÉRISATION D'UNE COUCHE D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OU D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SEMI-MANUFACTURÉ
Abstract:
(EN) The present document relates to a method of performing defect detection on a self-assembled monolayer of a semiconductor element or semi- manufactured semiconductor element, using an atomic force microscopy system. The system comprises a probe with a probe tip, and is configured for positioning the probe tip relative to the element for enabling contact between the probe tip and a surface of the element. The system comprises a sensor providing an output signal indicative of a position of the probe tip. The method comprises: scanning the surface with the probe tip; applying an acoustic vibration signal to the element; obtaining the output signal indicative of the position of the probe tip; monitoring probe tip motion during said scanning for mapping the surface of the semiconductor element, and using a fraction of the output signal for mapping contact stiffness indicative of a binding strength.
(FR) La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une détection de défaut sur une monocouche auto-assemblée d'un élément semi-conducteur ou d'un élément semi-conducteur semi-manufacturé, à l'aide d'un système de microscopie à force atomique. Le système comprend une sonde dotée d'une pointe de sonde, et est conçu pour positionner la pointe de sonde par rapport à l'élément pour permettre un contact entre la pointe de sonde et une surface de l'élément. Le système comprend un capteur fournissant un signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde. Le procédé consiste à : balayer la surface avec la pointe de sonde ; appliquer un signal de vibration acoustique à l'élément ; obtenir le signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde ; surveiller le mouvement de la pointe de sonde pendant ledit balayage pour cartographier la surface de l'élément semi-conducteur, et utiliser une fraction du signal de sortie pour cartographier une rigidité de contact indiquant une force de liaison.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)