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1. (WO2018043238) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE COMPLEX, SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE COMPLEX, AND FILM
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Pub. No.: WO/2018/043238 International Application No.: PCT/JP2017/030071
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 23.08.2017
IPC:
C01B 25/08 (2006.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
C CHEMISTRY; METALLURGY
01
INORGANIC CHEMISTRY
B
NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF
25
Phosphorus; Compounds thereof
08
Other phosphides
B PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82
NANO-TECHNOLOGY
Y
SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANO-STRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANO-STRUCTURES; MANUFACTURE  OR TREATMENT OF NANO-STRUCTURES
40
Manufacture or treatment of nano-structures
Applicants:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventors:
磯島 広 ISOJIMA Hiroshi; JP
Agent:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
Priority Data:
2016-16895531.08.2016JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE COMPLEX, SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE COMPLEX, AND FILM
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COMPLEXE DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES, COMPLEXE DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES, ET FILM
(JA) 半導体ナノ粒子複合体の製造方法、半導体ナノ粒子複合体およびフィルム
Abstract:
(EN) The present invention addresses the problem of providing a method for producing a semiconductor nanoparticle complex, a semiconductor nanoparticle complex, and a film such that aggregation of particles can be suppressed and a good oxide coating can be formed. The method for producing a semiconductor nanoparticle complex includes: a coating step of coating semiconductor nanoparticles using a silane having a group represented by a predetermined formula to obtain coated semiconductor nanoparticles; a hydrophilization step of mixing the coated semiconductor nanoparticles with a reverse micelle solution to obtain a reverse micelle solution that contains hydrophilized coated semiconductor nanoparticles; and an oxide-containing layer formation step of forming an oxide-containing layer on the surface of the hydrophilized coated semiconductor nanoparticles by adding an alkoxide to the reverse micelle solution after the hydrophilization step to obtain the semiconductor nanoparticle complex.
(FR) La présente invention aborde le problème consistant à fournir un procédé de production d'un complexe de nanoparticules semi-conductrices, un complexe de nanoparticules semi-conductrices, et un film de telle sorte que l'agrégation de particules peut être supprimée et qu'un bon revêtement d'oxyde peut être formé. Le procédé de production d'un complexe de nanoparticules semi-conductrices comprend : une étape de revêtement consistant à revêtir des nanoparticules semi-conductrices à l'aide d'un silane ayant un groupe représenté par une formule prédéterminée pour obtenir des nanoparticules semi-conductrices revêtues; une étape d'hydrophilisation consistant à mélanger les nanoparticules semi-conductrices revêtues avec une solution de micelle inverse pour obtenir une solution de micelle inverse qui contient des nanoparticules semi-conductrices revêtues hydrophilisées; et une étape de formation d'une couche contenant de l'oxyde consistant à former une couche contenant de l'oxyde sur la surface des nanoparticules semi-conductrices revêtues hydrophilisées par ajout d'un alcoxyde à la solution de micelle inverse après l'étape d'hydrophilisation pour obtenir le complexe de nanoparticules semi-conductrices.
(JA) 本発明は、粒子の凝集を抑制し、酸化物による良好な被覆を形成することができる半導体ナノ粒子複合体の製造方法、半導体ナノ粒子複合体およびフィルムを提供することを課題とする。本発明の半導体ナノ粒子複合体の製造方法は、半導体ナノ粒子を所定の式で表される基を有するシランを用いて被覆することで被覆半導体ナノ粒子を得る被覆工程と、被覆半導体ナノ粒子と逆ミセル溶液とを混合することで親水化された被覆半導体ナノ粒子を含有する逆ミセル溶液を得る親水化工程と、親水化工程後の逆ミセル溶液にアルコキシドを添加することで親水化された被覆半導体ナノ粒子の表面に酸化物含有層を形成して半導体ナノ粒子複合体を得る酸化物含有層形成工程と、を備える、半導体ナノ粒子複合体の製造方法である。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)