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1. (WO2018042877) VAPOR-PHASE GROWTH APPARATUS, METHOD FOR PRODUCTION OF EPITAXIAL WAFER, AND ATTACHMENT FOR VAPOR-PHASE GROWTH APPARATUS
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Pub. No.: WO/2018/042877 International Application No.: PCT/JP2017/024822
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 06.07.2017
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 21/205][IPC code unknown for C23C 16/455]
Applicants:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventors:
大西 理 OHNISHI, Masato; JP
Agent:
張川 隆司 HARIKAWA, Takashi; JP
Priority Data:
2016-17280305.09.2016JP
Title (EN) VAPOR-PHASE GROWTH APPARATUS, METHOD FOR PRODUCTION OF EPITAXIAL WAFER, AND ATTACHMENT FOR VAPOR-PHASE GROWTH APPARATUS
(FR) APPAREIL DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE, ET FIXATION POUR APPAREIL DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR
(JA) 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント
Abstract:
(EN) A vapor-phase growth apparatus 1 is provided with: a reaction furnace 2; multiple flow channels 16a; a cap 14; and an attachment 15. The reaction furnace 2 has an entrance 8a through which a vapor-phase growth gas is introduced, and uses the vapor-phase growth gas to grow an epitaxial layer on a substrate W. The multiple flow channels 16a extend from the entrance 8a to the outside of the entrance 8a, and introduce the vapor-phase growth gas into the reaction furnace 2. The cap 14 has an introduction channel 14a that is for introducing gas material toward the multiple flow channels 16a. The attachment 15 has a branch channel 15a that is connectable to the introduction channel 14a, and is mounted to the cap 14. The branch channel 15a is connected to the introduction channel 14a when the attachment 15 is mounted to the cap 14, and is configured to branch out in a knockout tournament draw pattern so as to correspond to the multiple flow channels 16a, from the introduction channel 14a side downstream toward the direction of the gas material so as to be connected to the respective flow channels 16a. This configuration provides a vapor-phase growth apparatus that enables improvement of, in a cost effective manner, the uniformity in film thickness of an epitaxial layer to be grown on a substrate.
(FR) Un appareil de croissance en phase vapeur 1 est pourvu : d'un four de réaction 2; de multiples canaux d'écoulement 16a; d'un capuchon 14; et d'une fixation 15. Le four de réaction 2 a une entrée 8a à travers laquelle un gaz de croissance en phase vapeur est introduit, et utilise le gaz de croissance en phase vapeur pour faire croître une couche épitaxiale sur un substrat W les multiples canaux d'écoulement 16a s'étendent depuis l'entrée 8a vers l'extérieur de l'entrée 8a, et introduit le gaz de croissance en phase vapeur dans le four de réaction 2. Le capuchon 14 a un canal d'introduction 14a qui est destiné à introduire un matériau gazeux vers les multiples canaux d'écoulement 16a. La fixation 15 a un canal de dérivation 15a qui peut être relié au canal d'introduction 14a, et est monté sur le capuchon 14. Le canal de dérivation 15a est relié au canal d'introduction 14a lorsque la fixation 15 est montée sur le capuchon 14, et est configuré pour s'étendre dans un motif d'extraction de tournoi d'éjection de façon à correspondre aux multiples canaux d'écoulement 16a, depuis le canal d'introduction 14a en aval vers la direction du matériau gazeux de façon à être connecté aux canaux d'écoulement respectifs 16a. Cette configuration fournit un appareil de croissance en phase vapeur qui permet d'améliorer, d'une manière rentable, l'uniformité de l'épaisseur de film d'une couche épitaxiale devant être développée sur un substrat.
(JA) 気相成長装置1は、反応炉2と、複数の流路16aと、キャップ14と、アタッチメント15と、を備える。反応炉2は、気相成長ガスが導入される入口8aを有して気相成長ガスにより基板Wにエピタキシャル層を成長する。複数の流路16aは、入口8aから入口8aの外側に延びて反応炉2に気相成長ガスを導く。キャップ14は、複数の流路16aに向けて原料ガスを導く導入路14aを有する。アタッチメント15は、導入路14aに接続可能な分岐路15aを有してキャップ14に装着される。分岐路15aは、アタッチメント15がキャップ14に装着された状態で導入路14aに接続し、導入路14a側から原料ガスの下流側に向けてトーナメント状に複数の流路16aに対応して分岐して複数の流路16aに接続する。これにより、基板上に成長させるエピタキシャル層の膜厚の均一性を費用対効果よく良好にすることが可能となる気相成長装置を提供する。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)