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1. (WO2018042755) ATOMIC LAYER GROWTH DEVICE AND ATOMIC LAYER GROWTH METHOD
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Pub. No.:    WO/2018/042755    International Application No.:    PCT/JP2017/016188
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 24.04.2017
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01)
Applicants: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD. [JP/JP]; 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032 (JP)
Inventors: WASHIO, Keisuke; (JP).
MATSUMOTO, Tatsuya; (JP)
Agent: TSUTSUI & ASSOCIATES; 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2016-168993 31.08.2016 JP
Title (EN) ATOMIC LAYER GROWTH DEVICE AND ATOMIC LAYER GROWTH METHOD
(FR) DISPOSITIF DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE COUCHE ATOMIQUE
(JA) 原子層成長装置および原子層成長方法
Abstract: front page image
(EN)An atomic layer growth device is provided with: a film formation container 11 in which a film formation treatment is performed; a stage 14 for retaining a substrate 100, the stage being provided in the film formation container 11 and being capable of moving up and down; a stage stopper 17 for stopping ascent of the stage 14 and for coming in contact with the stage 14 and thereby partitioning a film formation space S in which the film formation treatment is performed and a conveyance space in which conveyance of the substrate 100 is performed; a peripheral-edge stage adhesion preventive material 15 for covering a peripheral edge of the stage 14; and a stage stopper adhesion preventive material 24 provided on the stage stopper 17.
(FR)Cette invention concerne un dispositif de croissance de couche atomique, comprenant : un récipient de formation de film (11) dans lequel un traitement de formation de film est effectué ; un étage (14) pour retenir un substrat (100), l'étage étant disposé dans le récipient de formation de film (11) et étant apte à se déplacer vers le haut et vers le bas ; une butée d'étage (17) pour arrêter la montée de l'étage (14) et pour venir en contact avec l'étage (14) et séparer ainsi un espace de formation de film (S) dans lequel est effectué le traitement de formation de film et un espace de transport dans lequel est effectué le transport du substrat (100) ; un matériau de prévention d'adhésion de bord périphérique d'étage (15) pour recouvrir un bord périphérique de l'étage (14) ; et un matériau de prévention d'adhésion de butée d'étage (24) disposé sur la butée d'étage (17).
(JA)原子層成長装置は、成膜処理が行われる成膜容器11と、成膜容器11内に設置され、かつ基板100を保持する上下移動可能なステージ14と、ステージ14の上昇を止め、かつステージ14との接触により、上記成膜処理が行われる成膜空間Sと基板100の搬送が行われる搬送空間とを区画するステージストッパー17と、ステージ14の周縁部を覆う周縁部ステージ防着材15と、ステージストッパー17上に設置されたステージストッパー防着材24と、を備えている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)