Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018042636) INVERTER DEVICE, COMPRESSOR DRIVE DEVICE, AND AIR-CONDITIONER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/042636 International Application No.: PCT/JP2016/075882
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 02.09.2016
IPC:
H02M 7/48 (2007.01)
H ELECTRICITY
02
GENERATION, CONVERSION, OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
M
APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
7
Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
42
Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
44
by static converters
48
using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
Applicants:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventors:
鹿嶋 美津夫 KASHIMA, Mitsuo; JP
Agent:
高村 順 TAKAMURA, Jun; JP
Priority Data:
Title (EN) INVERTER DEVICE, COMPRESSOR DRIVE DEVICE, AND AIR-CONDITIONER
(FR) DISPOSITIF ONDULEUR, DISPOSITIF DE COMMANDE DE COMPRESSEUR ET CLIMATISEUR
(JA) インバータ装置、圧縮機駆動装置及び空気調和機
Abstract:
(EN) An inverter device is provided with: an inverter main circuit 3 for converting DC power to three-phase AC power using a plurality of semiconductor switching elements SW1-SW6 comprising upper arm switching elements and lower arm switching elements connected in series and disposed between a positive side DC bus line P and a negative side DC bus line N that form DC bus lines; a DC current detection circuit 5 for detecting a current flowing through the DC bus lines; and an inverter control unit 7 for outputting a PWM drive signal for controlling the inverter main circuit 3 on the basis of the DC current detected by the DC current detection circuit 5. A wide band-gap semiconductor element is used for the semiconductor switching elements SW1-SW6, and a parasitic diode of the wide band-gap semiconductor element is used as a free-wheeling diode. The semiconductor switching elements are set such that a reverse recovery time trr of the parasitic diode has a characteristic of (td/100) ≤ trr ≤ (td/10), where td is a short-circuit prevention time for the upper arm switching elements and the lower arm switching elements.
(FR) La présente invention concerne un dispositif onduleur qui est pourvu : d'un circuit principal d'onduleur (3) pour convertir une puissance CC en une puissance CA triphasée à l'aide d'une pluralité d'éléments de commutation semi-conducteurs (SW1-SW6) comprenant des éléments de commutation de bras supérieur et des éléments de commutation de bras inférieur connectés en série et disposés entre une ligne de bus CC côté positif P et une ligne de bus CC côté négatif N qui forment des lignes de bus CC ; d'un circuit de détection de courant continu (5) pour détecter un courant circulant à travers les lignes de bus CC ; et d'une unité de commande d'onduleur pour émettre un signal de commande PWM pour commander le circuit principal d'onduleur (3) sur la base du courant continu détecté par le circuit de détection de courant continu (5). Un élément semi-conducteur à large bande interdite est utilisé pour les éléments de commutation semi-conducteurs (SW1-SW6), et une diode parasite de l'élément semi-conducteur à large bande interdite est utilisée en tant que diode de roue libre. Les éléments de commutation semi-conducteurs sont réglés de sorte qu'un temps de récupération inverse (trr) de la diode parasite possède une caractéristique correspondant à (td/100) ≤ trr ≤ (td/10), td étant un temps de prévention de court-circuit pour les éléments de commutation de bras supérieur et les éléments de commutation de bras inférieur.
(JA) 直流母線を成す正側直流母線Pと負側直流母線Nとの間に配置された上アームスイッチング素子と下アームスイッチング素子とを直列接続してなる複数の半導体スイッチング素子SW1~SW6を用いて直流電力を三相交流電力に変換するインバータ主回路3、及び直流母線に流れる電流を検出する直流電流検出回路5、直流電流検出回路5により検出された直流電流に基づいてインバータ主回路3を制御するPWM駆動信号を出力するインバータ制御部7を備える。半導体スイッチング素子SW1~SW6にはワイドバンドギャップ半導体素子を使用し、ワイドバンドギャップ半導体素子の寄生ダイオードを還流ダイオードとして使用する。上アームスイッチング素子と下アームスイッチング素子との短絡防止時間をtdとするときに、寄生ダイオードの逆回復時間trrは、(td/100)≦trr≦(td/10)の特性となる半導体スイッチング素子を設定する。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)