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1. (WO2018042541) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/042541    International Application No.:    PCT/JP2016/075465
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 31.08.2016
Chapter 2 Demand Filed:    23.02.2017    
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Applicants: OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP)
Inventors: WATANABE Heiji; (JP).
YAMADA Takahiro; (JP).
NOZAKI Mikito; (JP).
HOSOI Takuji; (JP).
SHIMURA Takayoshi; (JP)
Agent: MAEI Hiroyuki; (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (100) is provided with a ground layer (10), an interface layer (20), and a sedimentary layer (30). The ground layer (10) contains a nitride semiconductor having gallium. The interface layer (20) is adjacent to the ground layer (10). The interface layer (20) contains gallium oxide. The sedimentary layer (30) is adjacent to the interface layer (20). The sedimentary layer (30) has a larger bandgap than the interface layer (20). It is preferable that the interface layer (20) have crystallinity. The interface layer (20) preferably has α phase Ga2O3.
(FR)Un dispositif à semi-conducteur (100) est pourvu d'une couche de masse (10), d'une couche d'interface (20) et d'une couche sédimentaire (30). La couche de masse (10) contient un semi-conducteur au nitrure ayant du gallium. La couche d'interface (20) est adjacente à la couche de masse (10). La couche d'interface (20) contient de l'oxyde de gallium. La couche sédimentaire (30) est adjacente à la couche d'interface (20). La couche sédimentaire (30) a une bande interdite plus grande que la couche d'interface (20). Il est préférable que la couche d'interface (20) ait une cristallinité. La couche d'interface (20) a de préférence une phase α Ga2O3.
(JA)半導体装置(100)は、下地層(10)と、界面層(20)と、堆積層(30)とを備える。下地層(10)は、ガリウムを有する窒化物半導体を含む。界面層(20)は、下地層(10)に隣接する。界面層(20)は、酸化ガリウムを含む。堆積層(30)は、界面層(20)に隣接する。堆積層(30)は、界面層(20)よりもバンドギャップが大きい。界面層(20)は結晶性を有することが好ましい。界面層(20)はα相Ga23を有することが好ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)