Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018041971) CONTROLLING A SEMICONDUCTOR SWITCH IN A SWITCHED MODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/041971 International Application No.: PCT/EP2017/071910
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 31.08.2017
IPC:
H03K 17/082 (2006.01) ,H03K 17/14 (2006.01)
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
08
Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
082
by feedback from the output to the control circuit
H ELECTRICITY
03
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
K
PULSE TECHNIQUE
17
Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and -breaking
14
Modifications for compensating variations of physical values, e.g. of temperature
Applicants:
VALEO SIEMENS EAUTOMOTIVE GERMANY GMBH [DE/DE]; Frauenauracher Str. 85 91056 Erlangen, DE
Inventors:
HOFFMANN, Holger; DE
ZITZMANN, Daniel; DE
Agent:
DR. GASSNER & PARTNER MBB; Wetterkreuz 3 91058 Erlangen, DE
Priority Data:
10 2016 216 508.901.09.2016DE
Title (EN) CONTROLLING A SEMICONDUCTOR SWITCH IN A SWITCHED MODE
(FR) COMMANDE D'UN INTERRUPTEUR SEMI-CONDUCTEUR DANS UN MODE DE COMMUTATION
(DE) STEUERN EINES HALBLEITERSCHALTERS IN EINEM SCHALTBETRIEB
Abstract:
(EN) The invention relates to a method for controlling a semiconductor switch (10) in a switched mode, in which a switching path (12) of the semiconductor switch (10) is controlled by means of an electrical switching potential at a control electrode (14) of the semiconductor switch (10) in such a manner that the switching path (12) assumes a switched-off or a switched-on state according to the electrical switching potential. During a switching process of the switching path (12) from the switched-on state to the switched-off state, an electrical switching path voltage at the switching path (12) is measured and, if the switching path voltage reaches a maximum voltage, an electrical limiting potential which puts the switching path (12) into an electrically conductive state is applied to the control electrode (14) to limit the switching path voltage to the maximum voltage. A temperature of the switching path (12) is measured by means of a temperature sensor (96) coupled thermally to the switching path (12), and the maximum voltage is determined according to the measured temperature.
(FR) L'invention concerne un procédé de commande d'un interrupteur semi-conducteur (10) dans un mode de commutation selon lequel une section de commutation (12) de l'interrupteur semi-conducteur (10) est commandée au moyen d'un potentiel de commutation électrique au niveau d'une électrode de commande (14) de l'interrupteur semi-conducteur (10) de telle manière que la section de commutation (12) adopte, en fonction du potentiel de commutation électrique, un état désactivé ou un état activé. Durant une opération de commutation de la section de commutation (12) de l'état activé à l'état désactivé, une tension électrique est détectée au niveau de la section de commutation (12) et, lorsque la tension de la section de commutation atteint une tension maximale, l'électrode de commande (14) est soumise à l'effet d'un potentiel électrique de délimitation qui passe la section de commutation (12) dans un état électroconducteur afin de limiter la tension de la section de commutation à la tension maximale. Une température de la section de commutation (12) est détectée au moyen d'un capteur de température (96) couplé thermiquement à la section de commutation (12) et la tension maximale est déterminée en fonction de la température détectée.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Steuern eines Halbleiterschalters (10) in einem Schaltbetrieb, bei dem eine Schaltstrecke (12) des Halbleiterschalters (10) mittels eines elektrischen Schaltpotentials an einer Steuerelektrode (14) des Halbleiterschalters (10) derart gesteuert wird, dass die Schaltstrecke (12) abhängig von dem elektrischen Schaltpotential einen ausgeschalteten oder einen eingeschalteten Zustand einnimmt, wobei während eines Schaltvorgangs der Schaltstrecke (12) vom eingeschalteten Zustand in den ausgeschalteten Zustand eine elektrische Schaltstreckenspannung an der Schaltstrecke (12) erfasst wird und bei Erreichen einer Maximalspannung durch die Schaltstreckenspannung die Steuerelektrode (14) mit einem elektrischen Begrenzungspotential beaufschlagt wird, das die Schaltstrecke (12) in einen elektrisch leitenden Zustand versetzt, um die Schaltstreckenspannung auf die Maximalspannung zu begrenzen, wobei mittels eines thermisch mit der Schaltstrecke (12) gekoppelten Temperatursensors (96) eine Temperatur der Schaltstrecke (12) erfasst wird und die Maximalspannung abhängig von der erfassten Temperatur ermittelt wird.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)