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1. (WO2018041080) SEMICONDUCTOR DEVICE ENHANCING ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION AND LAYOUT STRUCTURE THEREOF
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Pub. No.:    WO/2018/041080    International Application No.:    PCT/CN2017/099380
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 29.08.2017
IPC:
H01L 27/088 (2006.01), H02H 9/00 (2006.01), H01L 23/60 (2006.01)
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Xinzhou Road, New District Wuxi, Jiangsu 214028 (CN)
Inventors: WANG, Guangyang; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901 No.85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Priority Data:
201610749272.0 29.08.2016 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE ENHANCING ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION AND LAYOUT STRUCTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR RENFORÇANT LA PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES ET SA STRUCTURE DE DISPOSITION
(ZH) 用于提升静电放电保护能力的半导体装置及其版图结构
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device enhancing electrostatic discharge (ESD) protection and a layout structure thereof. ESD protection devices and a device (300) to be protected and having a small feature size are located on a same well area. The device (300) having the small feature size is located at a middle section. The ESD protection devices are arranged at two sides of the device (300) having the small feature size.
(FR)L’invention concerne un dispositif semi-conducteur renforçant la protection contre les décharges électrostatiques (DES) et sa structure de disposition. Des dispositifs de protection contre les DES et un dispositif (300) à protéger et dont la taille d’attributs est petite sont situés sur la même zone de puits. Le dispositif (300) dont la taille d’attributs est petite est situé dans une section centrale. Les dispositifs de protection contre les DES sont agencés de part et d’autre du dispositif (300) dont la taille d’attributs est petite.
(ZH)一种用于提升静电放电保护能力的半导体装置,静电放电保护器件与被保护的特征线宽小的器件(300)位于同一阱区之上,特征线宽小的器件(300)位于中间部分,特征线宽小的器件(300)的两侧布置静电放电保护器件。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)