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1. (WO2018040969) METHOD AND DEVICE FOR IMPROVING RELIABILITY OF NAND FLASH MEMORY
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Pub. No.: WO/2018/040969 International Application No.: PCT/CN2017/098239
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 21.08.2017
IPC:
G11C 5/14 (2006.01)
Applicants: FUJIAN LANDI COMMERCIAL EQUIPMENT CO., LTD[CN/CN]; Building 17, Section A, Software Park No. 89 Software Road, Gulou Fuzhou, Fujian 350000, CN
Inventors: WU, Xuan; CN
Agent: BORSAM INTELLECTUAL PROPERTY (FUZHOU); 5/F, Fujian Commercial Building 23 Zhongshan Road, Gulou District Fuzhou, Fujian 350003, CN
Priority Data:
201610784259.931.08.2016CN
Title (EN) METHOD AND DEVICE FOR IMPROVING RELIABILITY OF NAND FLASH MEMORY
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'AMÉLIORATION DE LA FIABILITÉ D'UNE MÉMOIRE FLASH NON-ET
(ZH) 一种提高 NAND FLASH 可靠性的方法及装置
Abstract: front page image
(EN) The present invention relates to the technical field of flash memory, and provides a method and device for improving reliability of a NAND flash memory. The method comprises the following steps: upon receiving an interrupt signal, a NAND controller (13) determining a type of a current operation of a NAND flash memory; if the type indicates a programming operation, then completing the programming operation by employing a capacitor (12), and resetting, by means of the NAND controller (13), the NAND flash memory to terminate the current operation; and if the type indicates a non-programming operation, then resetting, by means of the NAND controller (13), the NAND flash memory to terminate the current operation. The advantageous effect of the method of the present invention is achieving effective prevention of NAND flash data damage caused by a power failure by means of capturing critical operations to be protected, i.e., programming operations, at a power failure, and ensuring completion of the critical operations upon a power failure, thus ensuring data reliability of a terminal employing a NAND flash memory.
(FR) La présente invention se rapporte au domaine technique de la mémoire flash, et concerne un procédé et un dispositif pour améliorer la fiabilité d'une mémoire flash NON-ET. Le procédé comprend les étapes suivantes : lors de la réception d'un signal d'interruption, un contrôleur NON-ET (13) détermine un type d'opération en cours d'une mémoire flash NON-ET ; si le type indique une opération de programmation, achever alors l'opération de programmation au moyen d'un condensateur (12), et réinitialiser, au moyen du contrôleur NON-ET (13), la mémoire flash NON-ET pour terminer l'opération en cours ; et si le type indique une opération de non-programmation, alors réinitialiser, au moyen du contrôleur NON-ET (13), la mémoire flash NON-ET pour terminer l'opération en cours. Le procédé de la présente invention présente l'avantage d'obtenir une prévention efficace des dommages de données de flash NON-ET provoqués par une panne de courant en capturant des opérations critiques à protéger, c'est-à-dire des opérations de programmation, en cas d'une panne de courant, et assurer l'achèvement des opérations critiques lors d'une panne de courant, garantissant ainsi la fiabilité des données d'un terminal utilisant une mémoire flash NON-ET.
(ZH) 一种提高NAND FLASH可靠性的方法及装置,涉及闪存技术领域,所述方法包括如下步骤:NAND控制器(13)接收到中断信号后,判断NAND FLASH当前的操作的类型;若为编程操作,利用电容(12)完成编程操作,通过NAND 控制器(13)复位NAND FLASH,结束当前正在进行的操作;若不为编程操作,通过NAND 控制器(13)复位NAND FLASH,结束当前正在进行的操作。本方法的有益效果在于:抓住了掉电需要保护的关键操作-编程操作,通过保证掉电时完成整个编程操作,有效避免了掉电对NAND FLASH数据的损坏,保证了使用NAND FLASH终端的数据可靠性。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)