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1. (WO2018040864) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
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Pub. No.:    WO/2018/040864    International Application No.:    PCT/CN2017/096593
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 09.08.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: CSMC TECHNOLOGIES FAB2 CO., LTD. [CN/CN]; No. 8 Xinzhou Road Wuxi New District, Jiangsu 214028 (CN)
Inventors: LUO, Zehuang; (CN)
Agent: ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Priority Data:
201610798345.5 30.08.2016 CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 半导体器件及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device and a method for manufacturing same. The method comprises: step 1, providing a semiconductor substrate (100), forming a source, a drain, and a gate (101) on the semiconductor substrate (100), and forming a drift region on the semiconductor substrate (100) between the gate (101) and the drain; step 2, forming a first dielectric layer (1031) to cover the surface of the semiconductor substrate (100) as well as the source, the drain, and the gate (101); and step 3, forming a first field plate layer (1041) on the first dielectric layer (1031), the first field plate layer (1041) being located at least in part above the drift region and adjacent to one side of the gate (101).
(FR)L’invention concerne un dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le procédé consiste : étape 1, à réaliser un substrat semi-conducteur (100), à former une source, un drain, et une grille (101) sur le substrat semi-conducteur (100), et à former une zone de dérive sur le substrat semi-conducteur (100) entre la grille (101) et le drain ; étape 2, à former une première couche diélectrique (1031) pour recouvrir la surface du substrat semi-conducteur (100) ainsi que la source, le drain, et la grille (101) ; et étape 3, à former une première couche de plaque de champ (1041) sur la première couche diélectrique (1031), la première couche de plaque de champ (1041) étant située au moins en partie au-dessus de la zone de dérive et de manière adjacente à un côté de la grille (101).
(ZH)半导体器件及其制造方法,方法包括:步骤一、提供半导体衬底(100),在半导体衬底(100)上形成源极、漏极和栅极(101),在栅极(101)和漏极之间的半导体衬底(100)中形成有漂移区,步骤二、形成第一介质层(1031),以覆盖半导体衬底(100)的表面以及源极、漏极和栅极(101),步骤三、在第一介质层(1031)上形成第一场板层(1041),且第一场板层(1041)至少部分位于漂移区的上方并靠近栅极(101)一侧。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)