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1. (WO2018040563) NOVEL POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM ZENER DIODE AND FABRICATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2018/040563 International Application No.: PCT/CN2017/079845
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 10.04.2017
IPC:
H01L 29/866 (2006.01) ,H01L 21/329 (2006.01)
Applicants: FOSHAN TK SEMICONDUCTOR CO., LTD.[CN/CN]; Room 7-302 Block A Xinguangyuan Industrial Park, Nanhai District Foshan, Guangdong 528226, CN
Inventors: HE, Zhi; CN
Agent: KANGXIN PARTNERS, P.C.; Floor 16, Tower A, Indo Building A48 Zhichun Road, Haidian District Beijing 100098, CN
Priority Data:
201610800023.X31.08.2016CN
Title (EN) NOVEL POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM ZENER DIODE AND FABRICATION METHOD THEREFOR
(FR) NOUVELLE DIODE ZENER EN COUCHE MINCE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种新型多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法
Abstract: front page image
(EN) Disclosed are a polycrystalline silicon thin-film Zener diode and a fabrication method therefor, comprising: a substrate (100), and a passivation layer A (200) and a polycrystalline silicon thin film (300) sequentially grown on the substrate (100), wherein an N-type doped region (301) is formed in a part of the polycrystalline silicon thin film (300), and a P-type doped region (302) is formed in another part of the polycrystalline silicon thin film (300); a passivation layer B (400), located in an upper surface region of the polycrystalline silicon thin film (300); an electrode (500) on the N-type doped region (301), the electrode (500) being located above the N-type doped region (301) and above a portion of the passivation layer (401); an electrode (600) on the P-type doped region (302), the electrode (600) being located above the P-type doped region (302) and above a portion of the passivation layer (402). Activating N-type dopants and P-type dopants by using laser annealing may improve the activation processes in a traditional high-temperature furnace, while featuring a short time and high flexibility.
(FR) L'invention concerne une diode Zener en couche mince de silicium polycristallin et son procédé de fabrication, comprenant : un substrat (100), et une couche de passivation a (200) et une couche mince de silicium polycristallin (300) cultivés séquentiellement sur le substrat (100), une région dopée de type N (301) étant formée dans une partie de la couche mince de silicium polycristallin (300), et une région dopée de type P (302) est formée dans une autre partie de la couche mince de silicium polycristallin (300); une couche de passivation B (400), située dans une région de surface supérieure de la couche mince de silicium polycristallin (300); une électrode (500) sur la région dopée de type N (301), l'électrode (500) étant située au-dessus de la région dopée de type N (301) et au-dessus d'une partie de la couche de passivation (401); une électrode (600) sur la région dopée de type P (302), l'électrode (600) étant située au-dessus de la région dopée de type P (302) et au-dessus d'une partie de la couche de passivation (402). L'activation de dopants de type N et de dopants de type P par l'utilisation d'un recuit laser peut améliorer les processus d'activation dans un four à haute température traditionnel, tout en présentant un temps court et une flexibilité élevée.
(ZH) 公开了一种多晶硅薄膜齐纳二极管及制作方法,包括:衬底(100)以及在衬底(100)上依次生长的钝化层A(200)和多晶硅薄膜(300);在多晶硅薄膜(300)部分区形成的N型掺杂区(301);在多晶硅薄膜(300)另一部分形成的P型掺杂区(302);钝化层B(400),该钝化层B(400)位于多晶硅薄膜(300)的上表面区域;N型掺杂区(301)上的电极(500),该电极(500)位于N型掺杂区(301)的上方以及部分钝化层 (401)的上方;P型掺杂区(302)上的电极(600),该电极(600)位于P型掺杂区(302)的上方以及部分钝化层 (402)的上方,利用激光退火对N型掺杂剂与P型掺杂剂进行激活,改善了传统的高温炉激活工艺问题,时间短,灵活性高。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)