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1. (WO2018040408) MAGNETRON ELEMENT AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
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Pub. No.: WO/2018/040408 International Application No.: PCT/CN2016/111745
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 23.12.2016
IPC:
H01J 25/50 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
J
ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
25
Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
50
Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
Applicants:
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 BEIJING NMC CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 NO.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area, Beijing 100176, CN
Inventors:
杨玉杰 YANG, Yujie; CN
郭万国 GUO, Wanguo; CN
王厚工 WANG, Hougong; CN
Agent:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Priority Data:
201610789989.830.08.2016CN
Title (EN) MAGNETRON ELEMENT AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTRON ET APPAREIL DE PULVÉRISATION MAGNÉTRON
(ZH) 一种磁控元件和磁控溅射装置
Abstract:
(EN) Disclosed are a magnetron element (4) and a magnetron sputtering apparatus. The magnetron element (4) comprises a closed magnetic pole (1) and an open-circuit magnetic pole (2). The closed magnetic pole (1) surrounds the open-circuit magnetic pole (2). A magnetic field formed between the closed magnetic pole (1) and the open-circuit magnetic pole (2) can make the uniformity of a sputtering deposition thin film be less than 5%. The magnetron element (4) can be applicable to RF/DC PVD technology by means of providing the closed magnetic pole (1) and the open-circuit magnetic pole (2), and can enable a sputtering deposition thin film to satisfy a set uniformity requirement under the range of full process pressures by means of adjusting the shape and distribution of a plasma path (3) formed between the closed magnetic pole (1) and the open-circuit magnetic pole (2), so as to greatly improve the uniformity of the deposition thin film. The magnetron element (4) is widely applicable to magnetron sputtering systems and thin film deposition materials, and the magnetron element (4) can also improve the utilization ratio of a target (5).
(FR) L'invention concerne un élément magnétron (4) et un appareil de pulvérisation magnétron. L'élément magnétron (4) comprend un pôle magnétique fermé (1) et un pôle magnétique de circuit ouvert (2). Le pôle magnétique fermé (1) entoure le pôle magnétique de circuit ouvert (2). Un champ magnétique formé entre le pôle magnétique fermé (1) et le pôle magnétique de circuit ouvert (2) peut rendre l'uniformité d'un film mince de dépôt par pulvérisation inférieure à 5 %. L'élément magnétron (4) peut être appliqué à une technologie RF/DC PVD au moyen de la fourniture du pôle magnétique fermé (1) et du pôle magnétique de circuit ouvert (2), et peut permettre à un film mince de dépôt par pulvérisation de satisfaire une exigence d'uniformité définie dans la plage de pressions de traitement complètes au moyen de l'ajustement de la forme et de la distribution d'un trajet de plasma (3) formé entre le pôle magnétique fermé (1) et le pôle magnétique de circuit ouvert (2), de manière à améliorer considérablement l'uniformité du film mince de dépôt. L'élément magnétron (4) est largement applicable à des systèmes de pulvérisation magnétron et à des matériaux de dépôt de film mince, et l'élément magnétron (4) peut également améliorer le taux d'utilisation d'une cible (5).
(ZH) 一种磁控元件(4)和磁控溅射装置。该磁控元件(4)包括闭合磁极(1)和开路磁极(2),闭合磁极(1)包围开路磁极(2),闭合磁极(1)和开路磁极(2)之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5%。该磁控元件(4)通过设置闭合磁极(1)和开路磁极(2),能适用于RF/DC PVD技术,通过调节闭合磁极(1)和开路磁极(2)之间形成的等离子体路径(3)的形状与分布,能在全工艺压力范围下使溅射沉积薄膜满足设定的均匀性要求,从而大大提高了沉积薄膜的均匀性;该磁控元件(4)适用的磁控溅射系统以及适用的薄膜沉积材料都比较广泛,并且,该磁控元件(4)还能提高靶材(5)的利用率。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)