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1. (WO2018040354) METHOD FOR RAPID PREPARATION OF LARGE-SIZED SIC SINGLE-CRYSTAL BRICK
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Pub. No.:    WO/2018/040354    International Application No.:    PCT/CN2016/108825
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 07.12.2016
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C30B 23/00 (2006.01)
Applicants: HEBEI SYNLIGHT CRYSTAL CO.,LTD. [CN/CN]; Linkman: Chen, Ermin 4/F Block B, Building No.6, University Science Park, No. 5699, North Two Ring Road Baoding, Hebei 071051 (CN)
Inventors: ZHENG, Qingchao; (CN).
YANG, Kun; (CN).
GAO, Yu; (CN)
Agent: BEIJING LIANCHENGCHUANGXIN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; Hao, Xuejiang Room 6B, Block B, Building 1, Beijing Science and Technology Exhibition Centre, No 48, Bei Sanhuan Xi Road, Haidian District Beijing 100086 (CN)
Priority Data:
201610750954.3 30.08.2016 CN
Title (EN) METHOD FOR RAPID PREPARATION OF LARGE-SIZED SIC SINGLE-CRYSTAL BRICK
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION RAPIDE D’UNE BRIQUE MONOCRISTALLINE DE GRANDE TAILLE DE SIC
(ZH) 一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a method for rapid preparation of a large-sized SiC single-crystal brick. The method comprises: in a first stage, processing the shape of a small-sized SiC wafer as required, and assembling, aligning, and fixing the processed wafers on a graphite seed crystal support; in a second stage, transferring the seed crystal support with the fixed small-sized wafer assembly to a seed crystal sublimation system, selecting growth conditions suitable for single crystal horizontal growth, allowing the horizontally grown single crystal to fill a gap between the small-sized wafers, thus forming an integral large-sized SiC seed crystal; and in a third stage, using the large-sized seed crystal obtained from the second stage to perform seed crystal sublimation growing to obtain a final large-sized silicon carbide single crystal ingot, and processing the shape of the single crystal ingot to obtain a final large-sized SiC crystal brick. The advantages of the invention include realizing rapid increase of the size of a SiC single crystal brick, saving time and energy, and avoiding the issues of crystal defect propagation and cleavage caused by a large radial temperature gradient in a traditional diameter-expanding growth method.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation rapide d’une brique monocristalline de grande taille de SiC. Le procédé comprend : dans une première étape, le traitement de la forme d’une plaquette de SiC de petite taille tel que requis, et l’assemblage, l’alignement, et la fixation des plaquettes transformées sur un support de germe cristallin de graphite ; dans une seconde étape, le transfert du support de germe cristallin avec l’ensemble plaquette de petite taille fixe vers un système de sublimation de germe cristallin, la sélection des conditions de croissance convenant à la croissance horizontale du monocristal, le fait de permettre au monocristal de croître horizontalement pour remplir un espace entre les plaquettes de petite taille, formant ainsi un germe cristallin de SiC intégral de grande taille ; et dans une troisième étape, l’utilisation du germe cristallin de grande taille obtenu à l'issu de la seconde étape pour exécuter la croissance de sublimation du germe cristallin pour obtenir un lingot de monocristal de carbure de silicium final de grande taille, et le traitement de la forme du lingot de monocristal pour obtenir une brique de cristal de SiC finale de grande taille. Les avantages de l’invention comprennent la réalisation de l’augmentation rapide de la taille d’une brique monocristalline de SiC, l’économie de temps et d’énergie, et le fait d’éviter les problèmes de propagation de défaut du cristal et du clivage provoqué par un grand gradient de température radial dans un procédé de croissance traditionnel à expansion de diamètre.
(ZH)本发明涉及一种快速制备大尺寸SiC单晶晶棒的方法,第一阶段,将小尺寸SiC晶片外形加工为所需外形,将加工后的晶片进行组合拼接排列并固定于石墨籽晶托上;第二阶段,将固定有小晶片组合的籽晶托置于籽晶升华法体系中,选择适宜单晶横向生长的生长条件,使小尺寸晶片间缝隙被横向生长单晶填充,形成完整的大尺寸SiC籽晶;第三阶段,使用第二阶段获取的大尺寸籽晶,进行籽晶升华法生长,最终获取大尺寸碳化硅单晶晶锭,单晶晶锭经外形加工最终获得大尺寸SiC晶棒。本发明的有益效果是:实现SiC单晶晶棒尺寸的快速增加,节省时间和资源;避免了传统扩径生长方法中径向温度梯度过大导致晶体缺陷增殖和开裂问题。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)