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1. (WO2018040123) LED EPITAXIAL WAFER GROWN ON SCANDIUM MAGNESIUM ALUMINUM OXIDE SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
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Pub. No.:    WO/2018/040123    International Application No.:    PCT/CN2016/098633
Publication Date: 08.03.2018 International Filing Date: 10.09.2016
IPC:
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01)
Applicants: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN/CN]; No. 381 Wushan Road, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510640 (CN)
Inventors: LI, Guoqiang; (CN).
WANG, Wenliang; (CN).
YANG, Weijia; (CN)
Agent: GUANGZHOU HUAXUE INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 1st Floor, Material Building No. 381 Wushan Road, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510640 (CN)
Priority Data:
201610754917.X 29.08.2016 CN
Title (EN) LED EPITAXIAL WAFER GROWN ON SCANDIUM MAGNESIUM ALUMINUM OXIDE SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE DE DEL DÉVELOPPÉE SUR UN SUBSTRAT D'OXYDE D'ALUMINIUM DE MAGNÉSIUM ET DE SCANDIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片及其制备方法
Abstract: front page image
(EN)An LED epitaxial wafer grown on a scandium magnesium aluminum oxide substrate, comprising: a GaN buffer layer (11) grown on the scandium magnesium aluminum oxide substrate (10), an Al nano-island layer (12) grown on the GaN buffer layer (11), an undoped GaN layer (13) grown on the Al nano-island layer (12), an n-type doped GaN film (14) grown on the undoped GaN layer (13), an InGaN/GaN quantum well (15) grown on the n-type doped GaN film (14), a p-type doped GaN film (16) grown on the InGaN/GaN quantum well (15). Also disclosed is a method for preparing the above LED epitaxial wafer grown on a scandium magnesium aluminum oxide substrate. The present invention has the advantages of having a simple growth process and low preparation cost; and, the prepared LED epitaxial wafer features flat surfaces, low defect-density and good photoelectric performances.
(FR)Une tranche épitaxiale de DEL développée sur un substrat d'oxyde d'aluminium de magnésium et de scandium, comprenant : une couche tampon de GaN (11) développée sur le substrat d'oxyde d'aluminium de magnésium et de scandium (10), une couche de nano-îlot Al (12) développée sur la couche tampon de GaN (11), une couche de GaN non dopée (13) développée sur la couche de nano-îlot Al (12), un film de GaN dopé de type n (14) formé sur la couche de GaN non dopée (13), un puits quantique InGaN/GaN (15) développé sur le film de GaN dopé de type n (14), un film de GaN dopé de type p (16) développé sur le puits quantique InGaN/GaN (15). L'invention concerne également un procédé de préparation de la tranche épitaxiale de DEL ci-dessus développée sur un substrat d'oxyde d'aluminium de magnésium et de scandium. La présente invention présente les avantages d'avoir un processus de croissance simple et un faible coût de préparation; et, la tranche épitaxiale de DEL préparée présente des surfaces plates, une faible densité de défauts et de bonnes performances photoélectriques.
(ZH)一种生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片,包括生长在铝酸镁钪衬底(10)上的GaN缓冲层(11),生长在GaN缓冲层(11)上的Al纳米岛层(12),生长在Al纳米岛层(12)上的非掺杂GaN层(13),生长在非掺杂GaN层(13)上的n型掺杂GaN薄膜(14),长在n型掺杂GaN薄膜(14)上的InGaN/GaN量子阱(15),生长在InGaN/GaN量子阱(15)上的p型掺杂GaN薄膜(16)。还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的LED外延片的制备方法。本发明具有生长工艺简单,制备成本低廉的优点,且制备的LED外延片表面平整、缺陷密度低、光电学性能好。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)