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1. (WO2018039236) SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE WITH REDUCED UNINTENTIONAL CALCIUM IMPURITY INCORPORATION
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Pub. No.:    WO/2018/039236    International Application No.:    PCT/US2017/048026
Publication Date: 01.03.2018 International Filing Date: 22.08.2017
IPC:
C30B 25/22 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 33/28 (2010.01), H01L 29/36 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607 (US)
Inventors: YOUNG, Erin C.; (US).
SPECK, James S.; (US).
GRANDJEAN, Nicolas; (CH)
Agent: GATES, George H.; (US)
Priority Data:
62/378,073 22.08.2016 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE WITH REDUCED UNINTENTIONAL CALCIUM IMPURITY INCORPORATION
(FR) HÉTÉROSTRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE AVEC INCORPORATION RÉDUITE D'IMPURETÉS DE CALCIUM NON INTENTIONNELLES
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor heterostructure with reduced unintentional Calcium (Ca) impurity concentration of about 1 x 1014/cm3 or less. A Calcium impurity reduction structure may comprise a single low temperature layer or a multilayer superlattice with alternating low temperature and high temperature layers, wherein the Calcium impurity reduction structure is sandwiched between high temperature layers. The semiconductor heterostructure is comprised of a III-nitride alloy.
(FR)Cette invention concerne une hétérostructure semi-conductrice ayant une concentration réduite d'impuretés de Calcium (Ca) non intentionnelles, d'environ 1 x 1014/cm3 ou moins. Une structure de réduction d'impuretés de Calcium peut comprendre une seule couche à basse température ou un super-réseau multicouche avec des couches alternées à basse température et à haute température, la structure de réduction d'impuretés de Calcium étant prise en sandwich entre des couches à haute température. L'hétérostructure semi-conductrice est constituée d'un alliage de nitrure du groupe III.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)