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1. (WO2018039224) HIGH POWER BRAGG GRATING BASED SEMICONDUCTOR LASER
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Pub. No.: WO/2018/039224 International Application No.: PCT/US2017/048004
Publication Date: 01.03.2018 International Filing Date: 22.08.2017
IPC:
H01S 5/14 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
14
External cavity lasers
Applicants:
MORTON PHOTONICS INCORPORATED [US/US]; 3301 Velvet Valley Drive West Friendship, MD 21794, US
Inventors:
MORTON, Paul, A.; US
Agent:
WOLIN, Harris A.; US
Priority Data:
62/377,76022.08.2016US
Title (EN) HIGH POWER BRAGG GRATING BASED SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE RÉSEAU DE BRAGG À HAUTE PUISSANCE
Abstract:
(EN) A laser including: a gain chip; an external cavity incorporating a Bragg grating; and a baseplate; wherein a first end of the gain chip has a high reflectivity facet forming a first end of the laser cavity; a second end of the gain chip has a low reflectivity facet; and a second part of the external cavity comprises a Bragg grating, supported by the baseplate, the temperature of the baseplate being maintained through a feedback loop; wherein the optical length of the external cavity is at least an order of magnitude greater than the optical length of the gain chip; wherein the Bragg grating is physically long and occupies a majority of the length of the external cavity and is apodized to control the sidemodes of the grating reflection.
(FR) Un laser comprend : une puce de gain; une cavité externe incorporant un réseau de Bragg; et une plaque de base; une première extrémité de la puce de gain ayant une facette à réflectivité élevée formant une première extrémité de la cavité laser; une seconde extrémité de la puce de gain a une facette à faible réflectivité; et une seconde partie de la cavité externe comprend un réseau de Bragg, supporté par la plaque de base, la température de la plaque de base étant maintenue à travers une boucle de rétroaction; la longueur optique de la cavité externe étant au moins un ordre de grandeur supérieur à la longueur optique de la puce de gain; le réseau de Bragg étant physiquement long et occupant une majorité de la longueur de la cavité externe et étant apodisé pour commander les modes latéraux de la réflexion de réseau.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)