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1. (WO2018038044) WAFER MOUNTING BASE
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Pub. No.: WO/2018/038044 International Application No.: PCT/JP2017/029754
Publication Date: 01.03.2018 International Filing Date: 21.08.2017
IPC:
H01L 21/683 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67
Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components
683
for supporting or gripping
Applicants:
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530, JP
Inventors:
赤塚 祐司 AKATSUKA, Yuji; JP
Agent:
特許業務法人アイテック国際特許事務所 ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; 愛知県名古屋市中区錦二丁目16番26号SC伏見ビル SC Fushimi Bldg., 16-26, Nishiki 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
Priority Data:
2016-16608626.08.2016JP
Title (EN) WAFER MOUNTING BASE
(FR) BASE DE MONTAGE DE TRANCHE
(JA) ウエハ載置台
Abstract:
(EN) An electrostatic chuck heater 20 comprises an electrostatic chuck 22 and a cooling plate 40 integrated with each other. The electrostatic chuck 22 has a wafer mounting surface 22a and an opposite surface provided with a recess portion 28. A female threaded terminal 30 of a low thermal expansion coefficient metal is inserted into the recess portion 28 and bonded to the recess portion 28 by means of a bonding layer 34 including ceramic fine particles and hard brazing material. A male screw 44 is inserted into a through-hole 42 penetrating through the cooling plate 40, and is threadedly engaged with the female threaded terminal 30. When the female threaded terminal 30 and the male screw 44 are threadedly engaged with each other, play p is provided in a direction in which the cooling plate 40 is displaced with respect to the electrostatic chuck 22 due to a thermal expansion difference.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de chauffage de mandrin électrostatique 20 qui comprend un mandrin électrostatique 22 et une plaque de refroidissement 40 mutuellement intégrés. Le mandrin électrostatique 22 comporte une surface de montage de tranche 22a et une surface opposée pourvue d’une partie évidée 28. Une borne à filetage femelle 30 d’un métal à coefficient de dilatation thermique faible est insérée dans la partie évidée 28 et liée à la partie évidée 28 au moyen d’une couche de liaison 34 comprenant des particules fines de céramique et d’un matériau de brasage dur. Une vis mâle 44 est insérée dans un trou traversant 42 pénétrant à travers la plaque de refroidissement 40, et est en prise par filetage avec la borne à filetage femelle 30. Lorsque la borne à filetage femelle 30 et la vis mâle 44 sont mises en prise par filetage l’une avec l’autre, un jeu p est disposé dans une direction dans laquelle la plaque de refroidissement 40 est déplacée par rapport au mandrin électrostatique 22 en raison d’une différence de dilatation thermique.
(JA) 静電チャックヒータ20は、静電チャック22と冷却板40とを一体化したものである。静電チャック22のウエハ載置面22aとは反対側の面には凹部28が設けられている。低熱膨張係数金属製の雌ネジ付き端子30は、凹部28に挿入され、セラミックス微粒子と硬ろう材とを含む接合層34により凹部28に接合されている。雄ネジ44は、冷却板40を貫通する貫通孔42に挿入され、雌ネジ付き端子30に螺合されている。雌ネジ付き端子30と雄ネジ44とが螺合された状態では、静電チャック22に対して冷却板40が熱膨張差により変位するときの方向にあそびpが設けられている。
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Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)