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1. (WO2018037777) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/037777    International Application No.:    PCT/JP2017/026098
Publication Date: 01.03.2018 International Filing Date: 19.07.2017
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 10/16 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventors: KARIYADA Eiji; (JP)
Agent: YAMAMOTO Takahisa; (JP).
YOSHII Masaaki; (JP)
Priority Data:
2016-165417 26.08.2016 JP
Title (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTORÉSISTIF ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 磁気抵抗素子及び電子デバイス
Abstract: front page image
(EN)This magnetoresistive element 10 is obtained by laminating a lower electrode 31, a first base layer 21A formed of a non-magnetic material, a storage layer 22 having perpendicular magnetic anisotropy, an intermediate layer 23, a magnetization fixed layer 24 and an upper electrode 32. The storage layer 22 is formed of a magnetic material that has at least a 3d transition metal element and elemental boron in composition. This magnetoresistive element 10 additionally comprises a second base layer 21B between the lower electrode 31 and the first base layer 21A; and the second base layer 21B is formed of a material that contains at least one of the elements constituting the storage layer in composition.
(FR)La présente invention concerne un élément magnétorésistif (10) qui est obtenu par stratification d'une électrode inférieure (31), d'une première couche de base (21A) formée d'un matériau non-magnétique, d'une couche de stockage (22) ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, d'une couche intermédiaire (23), d'une couche fixe de magnétisation (24) et d'une électrode supérieure (32). La couche de stockage (22) est formée d'un matériau magnétique qui possède au moins un élément métallique de transition (3d) et du bore élémentaire dans la composition. Cet élément magnétorésistif (10) comprend en outre une deuxième couche de base (21B) entre l'électrode inférieure (31) et la première couche de base (21A); et la deuxième couche de base (21B) est formée d'un matériau qui contient au moins l'un des éléments constituant la couche de stockage dans la composition.
(JA)磁気抵抗素子10は、下部電極31、非磁性材料から成る第1下地層21A、垂直磁気異方性を有する記憶層22、中間層23、磁化固定層24及び上部電極32が積層されて成り、記憶層22は、少なくとも3d遷移金属元素及びホウ素元素を組成として有する磁性材料から成り、下部電極31と第1下地層21Aとの間に、更に、第2下地層21Bを備えており、第2下地層21Bは、記憶層を構成する元素の少なくとも1種類の元素を組成として有する材料から成る。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)