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Pub. No.:    WO/2018/037736    International Application No.:    PCT/JP2017/024954
Publication Date: 01.03.2018 International Filing Date: 07.07.2017
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: SUZUKI Hiroyoshi; (JP).
OKABE Hiroaki; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; (JP).
ARITA Takahiro; (JP)
Priority Data:
2016-161751 22.08.2016 JP
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to inhibit cracking in an interlayer insulation film caused by growth of Cu crystal grains. A semiconductor device (101) is provided with: a source region (5); an interlayer insulation film (7) formed on the source region (5) so as to be provided with an opening, the interlayer insulation film (7) comprising silicon oxide; a Cu electrode (1) electrically connected to the source region (5) through the opening in the interlayer insulation film (7), an end part of the Cu electrode (1) being positioned on the interlayer insulation film (7) on the inside of an end part of the interlayer insulation film (7); and a stress relaxation layer (13) formed between the Cu electrode (1) and the interlayer insulation film (7) and provided from the inside to the outside of the end part of the Cu electrode (1), the stress relaxation layer (13) comprising a material having a higher fracture toughness value than the interlayer insulation film (7).
(FR)Le but de la présente invention est d'empêcher la fissuration dans un film d'isolation inter-couche provoqué par la croissance de grains de cristal de Cu. Un dispositif à semi-conducteur (101) comprend : une région de source (5); un film d'isolation inter-couche (7) formé sur la région de source (5) de manière à être pourvu d'une ouverture, le film d'isolation inter-couche (7) comprenant de l'oxyde de silicium; une électrode de Cu (1) connectée électriquement à la région de source (5) à travers l'ouverture dans le film d'isolation inter-couche (7), une partie d'extrémité de l'électrode de Cu (1) étant positionnée sur le film d'isolation inter-couche (7) sur l'intérieur d'une partie d'extrémité du film d'isolation inter-couche (7); et une couche de relaxation de contrainte (13) formée entre l'électrode de Cu (1) et le film d'isolation inter-couche (7) et fournie de l'intérieur vers l'extérieur de la partie d'extrémité de l'électrode de Cu (1), la couche de relaxation de contrainte (13) comprenant un matériau ayant une valeur de résistance à la rupture supérieure à celle du film d'isolation inter-couche (7).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)