Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2018037697) SEMICONDUCTOR LASER, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVE METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau    Submit observation

Pub. No.: WO/2018/037697 International Application No.: PCT/JP2017/023040
Publication Date: 01.03.2018 International Filing Date: 22.06.2017
IPC:
H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/026 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
20
Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave
22
having a ridge or a stripe structure
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
022
Mountings; Housings
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
02
Structural details or components not essential to laser action
026
Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors or drivers
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
04
Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
042
Electrical excitation
Applicants:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventors:
大野 智輝 ONO, Tomoki; JP
滝口 幹夫 TAKIGUCHI, Mikio; JP
大畑 豊治 OOHATA, Toyoharu; JP
小山 享宏 KOYAMA, Takahiro; JP
Agent:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Priority Data:
2016-16277323.08.2016JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVE METHOD FOR SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ、電子機器、および半導体レーザの駆動方法
Abstract:
(EN) The semiconductor laser according to one embodiment of the present disclosure has a ridge part that is structured such that a plurality of gain regions and a plurality of q-switch regions are alternately arranged in the extension direction of the ridge part with separation regions therebetween. Each separation region has a separation groove that spatially separates adjacent gain and q-switch regions. The separation groove has a bottom surface that is in a second semiconductor layer and positioned higher than portions thereof that correspond to the foot of either side of the ridge part. An electrode is provided upon the bottom surface of each separation groove with an insulating layer therebetween.
(FR) Le laser à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention comporte une partie de crête qui est structurée de telle sorte qu'une pluralité de régions de gain et une pluralité de régions de commutateur q sont disposées en alternance dans la direction d'extension de la partie de crête avec des régions de séparation entre elles. Chaque région de séparation comporte une rainure de séparation qui sépare spatialement des régions de gain et de commutateur q adjacentes. La rainure de séparation a une surface inférieure qui est dans une seconde couche semi-conductrice et positionnée plus haut que des portions de celle-ci qui correspondent au pied de chaque côté de la partie de crête Une électrode est disposée sur la surface inférieure de chaque rainure de séparation avec une couche isolante entre elles.
(JA) 本開示の一実施の形態の半導体レーザにおいて、リッジ部は、複数の利得領域および複数のQスイッチ領域がリッジ部の延在方向に、分離領域を介して交互に配置された構造を有している。各分離領域は、互いに隣接する利得領域およびQスイッチ領域を空間分離する分離溝を有している。分離溝は、第2半導体層内であって、かつリッジ部の両脇のすそ野に相当する部分よりも高い位置に底面を有している。この半導体レーザは、各分離溝の底面上に、絶縁層を介して設けられた電極を備えている。
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)