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1. (WO2018037626) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT
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Pub. No.:    WO/2018/037626    International Application No.:    PCT/JP2017/016438
Publication Date: 01.03.2018 International Filing Date: 25.04.2017
IPC:
H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634 (JP)
Inventors: Masada Ayumi; (JP)
Agent: SUGIMURA Kenji; (JP)
Priority Data:
2016-162079 22.08.2016 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER, EPITAXIAL SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM, TRANCHE ÉPITAXIALE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE PRISE DE VUE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided are: an epitaxial silicon wafer wherein metal contamination can be suppressed by achieving higher gettering performance; and a method for manufacturing the epitaxial silicon wafer. Disclosed is a method for manufacturing an epitaxial silicon wafer 100 having: a silicon wafer 10; a first silicon epitaxial layer 12 on the silicon wafer 10; a first modified layer 14 formed by injecting carbon into a surface layer portion of the first silicon epitaxial layer 12; and a second silicon epitaxial layer 16 on the first modified layer 14. The method is characterized in that: the peak concentration of an oxygen concentration profile of the first modified layer 14 after forming the second silicon epitaxial layer 16 is 2×1017 atoms/cm3 or less; and the oxygen concentration of the second silicon epitaxial layer 16 is equal to or lower than a SIMS detection lower limit value.
(FR)L'invention concerne : une tranche épitaxiale de silicium dans laquelle une contamination métallique peut être empêchée en obtenant une performance de getter supérieure; et un procédé de fabrication de la tranche épitaxiale de silicium . L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de silicium 100 ayant : une tranche de silicium 10; une première couche épitaxiale de silicium 12 sur la tranche de silicium 10; une première couche modifiée 14 formée par injection de carbone dans une portion de couche de surface de la première couche épitaxiale de silicium 12; et une seconde couche épitaxiale de silicium 16 sur la première couche modifiée 14. Le procédé est caractérisé en ce que : la concentration de crête d'un profil de concentration en oxygène de la première couche modifiée 14 après la formation de la seconde couche épitaxiale de silicium 16 est de 2 × 1017 atomes/cm 3 ou moins; et la concentration en oxygène de la seconde couche épitaxiale de silicium 16 est égale ou inférieure à une valeur limite inférieure de détection SIMS.
(JA)より高いゲッタリング能力を発揮することで、金属汚染を抑制することができるエピタキシャルシリコンウェーハ、およびその製造方法を提供する。シリコンウェーハ10と、シリコンウェーハ10上の第1シリコンエピタキシャル層12と、第1シリコンエピタキシャル層12の表層部に炭素が注入されてなる第1改質層14と、第1改質層14上の第2シリコンエピタキシャル層16と、を有するエピタキシャルシリコンウェーハ100の製造方法において、第2シリコンエピタキシャル層16形成後の、第1改質層14における酸素濃度プロファイルのピーク濃度を2×1017atoms/cm3以下とし、かつ、第2シリコンエピタキシャル層16の酸素濃度をSIMS検出下限値以下とすることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)