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1. (WO2018035322) CONTACT ARCHITECTURES FOR TUNNEL JUNCTION DEVICES
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Pub. No.:    WO/2018/035322    International Application No.:    PCT/US2017/047342
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 17.08.2017
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, California 94607 (US)
Inventors: YONKEE, Benjamin P.; (US).
YOUNG, Erin C.; (US).
FORMAN, Charles; (US).
LEONARD, John T.; (US).
LEE, SeungGeun; (US).
COHEN, Dan; (US).
FARRELL, Robert M.; (US).
IZA, Michael; (US).
SAIFADDIN, Burhan; (US).
ALMOGBEL, Abdullah; (US).
FORONDA, Humberto; (US).
SPECK, James S.; (US).
DENBAARS, Steven P.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US)
Agent: SERAPIGLIA, Gerard B.; (US)
Priority Data:
62/376,179 17.08.2016 US
62/376,266 17.08.2016 US
62/376,289 17.08.2016 US
62/394,060 13.09.2016 US
62/410,954 21.10.2016 US
62/415,843 01.11.2016 US
Title (EN) CONTACT ARCHITECTURES FOR TUNNEL JUNCTION DEVICES
(FR) ARCHITECTURES DE CONTACT POUR DISPOSITIFS DE JONCTION À EFFET TUNNEL
Abstract: front page image
(EN)A flip chip III-Nitride LED which utilizes a dielectric coating backed by a metallic reflector (e.g., aluminum or silver). High reflectivity and low resistance contacts for optoelectronic devices. Low ESD rating optoelectronic devices. A VCSEL comprising a tunnel junction for current and optical confinement.
(FR)La présente invention concerne une DEL à base de nitrure III à puce retournée qui utilise un revêtement diélectrique supporté par un réflecteur métallique (par exemple, de l'aluminium ou de l'argent). L'invention concerne également des contacts à réflectivité élevée et à faible résistance pour dispositifs optoélectroniques. L'invention concerne également des dispositifs optoélectroniques à faible niveau de décharge électrostatique. Un VCSEL comprend une jonction à effet tunnel pour un confinement optique et du courant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)