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1. (WO2018034936) ALLOYS OF Co TO REDUCE STRESS
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Pub. No.:    WO/2018/034936    International Application No.:    PCT/US2017/046270
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 10.08.2017
IPC:
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), C22C 19/07 (2006.01), C07F 15/06 (2006.01)
Applicants: ENTEGRIS, INC. [US/US]; 129 Concord Billerica, Massachusetts 01821 (US)
Inventors: CHEN, Philip S.H.; (US).
HENDRIX, Bryan C.; (US).
BAUM, Thomas H.; (US)
Agent: JIMENEZ, Jose, W.; (US).
BERGER, Scott A.; (US).
BINDER, Mark, W.; (US).
BJORKMAN, Dale, A.; (US).
BUSSE, Paul, W.; (US).
HAKAMAKI, Michaele, A.; (US).
KAGAN, David, B.; (US).
PARINS, Paul, J.; (US).
SARAGENO, Lori, P.; (US).
SCHULTE, Daniel, C.; (US).
WARNER, Elizabeth A.; (US).
WEAVER, Paul, L.; (US).
PILLION, John E.; (US).
GATES, Catherine D.; (US).
KISSOON, Nidhi; (US).
HORNILLA, Arlene L.; (US)
Priority Data:
62/374,860 14.08.2016 US
Title (EN) ALLOYS OF Co TO REDUCE STRESS
(FR) ALLIAGES DE COBALT POUR LA RÉDUCTION DES CONTRAINTES
Abstract: front page image
(EN)A deposited cobalt composition is described, including cobalt and one or more alloy component that is effective in combination with cobalt to enhance adhesion to a substrate when exposed on the substrate to variable temperature and/or delaminative force conditions, as compared to corresponding elemental cobalt, wherein the one or more alloy component is selected from the group consisting of boron, phosphorous, tin, antimony, indium, and gold. Such deposited cobalt composition may be employed for metallization in semiconductor devices and device precursor structures, flat-panel displays, and solar panels, and provides highly adherent metallization when the metallized substrate is subjected to thermal cycling and/or chemical mechanical planarization operations in the manufacturing of the semiconductor, flat-panel display, or solar panel product.
(FR)Cette invention concerne une composition de cobalt déposée, comprenant du cobalt et un ou plusieurs constituants d'alliage qui sont efficaces en combinaison avec le cobalt pour améliorer l'adhérence à un substrat lorsqu'ils sont exposés sur le substrat à des conditions de température et/ou de forces de délaminage variables, comparativement au cobalt élémentaire correspondant, ledit/lesdits constituant(s) d'alliage étant choisi(s)_dans le groupe constitué par le bore, le phosphore, l'étain, l'antimoine, l'indium et l'or. Une telle composition de cobalt déposée peut être utilisée pour la métallisation dans des dispositifs à semi-conducteur et des structures de précurseur de dispositif, des écrans plats et des panneaux solaires, et elle assure une métallisation hautement adhérente lorsque le substrat métallisé est soumis à des opérations de cyclage thermique et/ou de planarisation mécano-chimique lors de la fabrication du semi-conducteur, de l'écran plat, ou du panneau solaire produit.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)