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1. (WO2018034266) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
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Pub. No.:    WO/2018/034266    International Application No.:    PCT/JP2017/029280
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 14.08.2017
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventors: HIGO, Teruaki; (--).
OKAMOTO, Chikao; (--).
KOBAYASHI, Masamichi; (--).
ISHII, Masahito; (--).
MORI, Takeshi; (--).
MATSUMOTO, Yuta; (--)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2016-159105 15.08.2016 JP
Title (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子および光電変換装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a photoelectric conversion element comprising: a p-type or n-type semiconductor substrate (1); a p-type amorphous semiconductor film (3) and n-type amorphous semiconductor film (5) on a first surface side; a p electrode (7) on the p-type amorphous semiconductor film (3); and an n electrode (8) on the n-type amorphous semiconductor film (5). The p electrode (7) and n electrode (8) are arranged with a gap therebetween. The p-type amorphous semiconductor film (3) surrounds the n-type amorphous semiconductor film (5) in the in-plane direction of the semiconductor substrate (1), and an edge part (5a) of the n-type amorphous semiconductor film (5) is a region overlapping with the p-type amorphous semiconductor film (3). The n electrode (8) is positioned on the inner side of a region of the n-type amorphous semiconductor film (5) surrounded by the overlapping region.
(FR)L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique comprenant : un substrat semi-conducteur de type p ou de type n (1); un film semi-conducteur amorphe de type p (3) et un film semi-conducteur amorphe de type n (5) sur un premier côté de surface; une électrode p (7) sur le film semi-conducteur amorphe de type p (3); et une électrode n (8) sur le film semi-conducteur amorphe de type n (5). L'électrode p (7) et l'électrode n (8) sont agencées avec un espace entre elles. Le film semi-conducteur amorphe de type p (3) entoure le film semi-conducteur amorphe de type n (5) dans la direction dans le plan du substrat semi-conducteur (1), et une partie de bord (5a) du film semi-conducteur amorphe de type n (5) est une région chevauchant le film semi-conducteur amorphe de type p (3). L'électrode n (8) est positionnée sur le côté interne d'une région du film semi-conducteur amorphe de type n (5) entouré par la région de chevauchement.
(JA)光電変換素子は、p型またはn型の半導体基板(1)と、第1の面側のp型非晶質半導体膜(3)およびn型非晶質半導体膜(5)と、p型非晶質半導体膜(3)上のp電極(7)と、n型非晶質半導体膜(5)上のn電極(8)とを備えている。p電極(7)とn電極(8)とは間隔を空けて配置されており、p型非晶質半導体膜(3)がn型非晶質半導体膜(5)を半導体基板(1)の面内方向に取り囲んでおり、n型非晶質半導体膜(5)の縁部(5a)がp型非晶質半導体膜(3)との重なり領域であり、n電極(8)は、重なり領域で取り囲まれたn型非晶質半導体膜(5)の領域の内側に位置している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)