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1. (WO2018034193) ELECTROMAGNETIC WAVE REDUCING STRUCTURE
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Pub. No.: WO/2018/034193 International Application No.: PCT/JP2017/028649
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 07.08.2017
IPC:
H05K 9/00 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01) ,H05K 1/18 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION[JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Inventors: KASHIWAKURA Kazuhiro; JP
Agent: SHIMOSAKA Naoki; JP
Priority Data:
2016-16132419.08.2016JP
Title (EN) ELECTROMAGNETIC WAVE REDUCING STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE RÉDUCTION D’ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES
(JA) 電磁波低減構造
Abstract: front page image
(EN) The present invention addresses the problem of providing an electromagnetic wave reducing structure that can reduce leakage to outside of noise that is emitted by a circuit, from low frequency to high frequency, without using a special, difficult to obtain item. To address this problem, the electromagnetic wave reducing structure is provided with: a first conductor layer and a second conductor layer facing opposite each other; and a capacitor group comprising a plurality of capacitors connected to the first conductor layer and the second conductor layer. All the gaps are approximately equal between the capacitors in any pair of adjacent capacitors in a first direction within the plane and any pair of adjacent capacitors in a second direction which is the direction within the plane that is approximately perpendicular to the first direction, in a surface parallel to the surface of the first conductor layer that faces opposite the second conductor layer, and the capacitor group is provided with a plurality of the capacitors in a rectangular array, without overlapping each other, in the periphery of the circuit placement position within the plane.
(FR) La présente invention aborde le problème de fourniture d’une structure de réduction des ondes électromagnétiques qui peut réduire une fuite vers l’extérieur de bruit qui est émis par un circuit, d’une basse fréquence vers une haute fréquence, sans utiliser un élément spécial, difficile à obtenir. Afin de résoudre ce problème, la structure de réduction d’ondes électromagnétiques est pourvue de : une première couche conductrice et une deuxième couche conductrice se faisant mutuellement face ; et un groupe de condensateurs comprenant une pluralité de condensateurs connectés à la première couche conductrice et à la deuxième couche conductrice. Tous les écartements sont approximativement égaux parmi les condensateurs dans une paire quelconque de condensateurs adjacents dans une première direction dans le plan et une paire quelconque de condensateurs adjacents dans une deuxième direction qui est la direction dans le plan qui est approximativement perpendiculaire à la première direction, dans une surface parallèle à la surface de la première couche conductrice qui fait face à la deuxième couche conductrice, et le groupe de condensateurs est pourvu d’une pluralité de condensateurs dans un réseau rectangulaire, sans se chevaucher mutuellement, dans la périphérie de la position de placement de circuit dans le plan.
(JA) 入手困難な特殊なものを用いることなしに、低周波から高周波まで、回路が発するノイズの外部への漏えいを低減し得る、電磁波低減構造の提供が課題である。当該課題を解決するために、電磁波低減構造は、互いに対向する第一の導体層及び第二の導体層と、前記第一の導体層と前記第二の導体層とに接続された複数のコンデンサからなるコンデンサ群とを備え、前記第一の導体層の前記第二の導体層と対向する面に平行な面の、面内の第一の方向において隣り合う任意の一対の前記コンデンサ及び前記第一の方向と略垂直な前記面内の方向である第二の方向において隣り合う任意の一対の前記コンデンサ、における、前記コンデンサ間の間隔はすべて略等しく、前記コンデンサ群は、前記面内において、回路の配置位置の周囲に、各々が互いに重ならない、複数の、前記コンデンサの矩形の配列を備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)