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1. (WO2018033236) PROJECTION LITHOGRAPHY SYSTEM COMPRISING A MEASURING DEVICE FOR MONITORING LATERAL IMAGE STABILITY
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Pub. No.: WO/2018/033236 International Application No.: PCT/EP2017/000947
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 04.08.2017
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: CARL ZEISS SMT GMBH[DE/DE]; Rudolf-Eber-Str. 2 73447 Oberkochen, DE
Inventors: FREIMANN, Rolf; DE
GEUPPERT, Bernhard; DE
FAASSEN, Ronald; NL
Agent: SUMMERER, Christian; ZEUNER SUMMERER STÜTZ Nußbaumstrasse 8 80336 München, DE
Priority Data:
10 2016 215 543.118.08.2016DE
Title (EN) PROJECTION LITHOGRAPHY SYSTEM COMPRISING A MEASURING DEVICE FOR MONITORING LATERAL IMAGE STABILITY
(FR) SYSTÈME D'EXPOSITION PAR PROJECTION MUNI D'UN DISPOSITIF DE MESURE PERMETTANT DE SURVEILLER UNE STABILITÉ DE REPRÉSENTATION LATÉRALE
(DE) PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE MIT EINER MESSVORRICHTUNG ZUR ÜBERWACHUNG EINER LATERALEN ABBILDUNGSSTABILITÄT
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a projection lithography system comprising a measuring device for monitoring lateral image stability. In an interferometric distance measuring device for measuring an optical path length difference between a reference beam path and a measuring beam path in a volume of gases laden with schlieren inhomogeneities, at least some sections of the diameter of the measuring beam path are at least 0.1 cm. A projection lithography system for microlithography comprises the interferometric distance measuring device.
(FR) L'invention concerne un dispositif interférométrique de mesure de distance servant à mesurer une différence de longueur d'onde optique entre un chemin optique de référence et un chemin optique mesuré dans un volume de gaz présentant des stries, le diamètre du chemin optique mesuré s'élevant au moins par endroits à au moins 0,1 cm. L'invention concerne par ailleurs un système d'exposition par projection pour microlithographie, muni du dispositif interférométrique de mesure de distance.
(DE) Projektionsbelichtungsanlage mit einer Messvorrichtung zur Überwachung einer lateralen Abbildungsstabilität. Bei einer interferometrischen Abstandsmessvorrichtung zur Messung eines optischen Weglängenunterschieds zwischen einem Referenzstrahlengang und einem Messstrahlengang in einem Volumen von mit Schlieren behafteten Gasen beträgt ein Durchmesser des Messstrahlengangs zumindest abschnittsweise mindestens 0,1 cm. Eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie umfasst die interferometrische Abstandsmessvorrichtung.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)