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1. (WO2018033157) SEMICONDUCTOR PACKAGING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
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Pub. No.: WO/2018/033157 International Application No.: PCT/CN2017/098290
Publication Date: 22.02.2018 International Filing Date: 21.08.2017
IPC:
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
28
Encapsulation, e.g. encapsulating layers, coatings
29
characterised by the material
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
28
Encapsulation, e.g. encapsulating layers, coatings
31
characterised by the arrangement
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
50
Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/06-H01L21/326162
56
Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.[CN/CN]; Huawei Administration Building, Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129, CN
Inventors: CHEN, Cheng Ting; CN
CHANG, Sheng Chieh; CN
XIA, Yu; CN
Priority Data:
201610697554.019.08.2016CN
Title (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGING STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE D'ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(ZH) 一种半导体封装结构及其制造方法
Abstract:
(EN) A semiconductor packaging structure comprises a semiconductor element (101), a connecting pad (102), a protection layer (103), a flat layer (104), a raised point lower metal layer (105), and a rewiring layer (106). The connecting pad is disposed on the semiconductor element. The protection layer comprises a first nonconductive material. The protection layer comprises a first part (1031) and a second part (1031). The first part covers the semiconductor element except the connecting pad, and the surface of the first part has a first height; the second part covers the periphery of the connecting pad, and the surface of the second part has a second height; and the first height is smaller than the second height. The middle part of the connecting pad is exposed. The first part and the second part are joined on the edge of the connecting pad. The flat layer comprises a second nonconductive material, and covers on the first part; and the surface of the flat layer has a second height. The raised point lower metal layer comprises a first metal material, and covers on the flat layer, the second part and the middle part. The rewiring layer comprises a second metal material, and covers on the raised point lower metal layer.
(FR) La présente invention concerne une structure d'encapsulation de semi-conducteur comprenant un élément semi-conducteur (101), une plage de connexion (102), une couche de protection (103), une couche plate (104), une couche métallique inférieure de point surélevé (105), et une couche de recâblage (106). La plage de connexion est disposée sur l'élément semi-conducteur. La couche de protection comprend un premier matériau non conducteur. La couche de protection comprend une première partie (1031) et une seconde partie (1031). La première partie recouvre l'élément semi-conducteur à l'exception de la plage de connexion, et la surface de la première partie a une première hauteur ; la seconde partie recouvre la périphérie de la plage de connexion, et la surface de la seconde partie a une seconde hauteur ; et la première hauteur est inférieure à la seconde hauteur. La partie centrale de la plage de connexion est découverte. La première partie et la seconde partie sont jointes sur le bord de la plage de connexion. La couche plate comprend un second matériau non conducteur, et recouvre la première partie ; et la surface de la couche plate a une seconde hauteur. La couche métallique inférieure de point surélevé comprend un premier matériau métallique, et recouvre la couche plate, la seconde partie et la partie centrale La couche de recâblage comprend un second matériau métallique, et recouvre la couche métallique inférieure de point surélevé.
(ZH) 一种半导体封装结构,包括:半导体元件(101);接垫(102),设置于半导体元件上;保护层(103),包括第一非导电材料,包括第一部分(1031)及第二部分(1032),第一部分覆盖于除接垫之外的半导体元件上,第一部分的表面具有第一高度,第二部分覆盖于接垫的周边上,第二部分的表面具有第二高度,第一高度低于第二高度,接垫的中间部分暴露,第一部分与第二部分在接垫的边缘处衔接;平坦层(104),包括第二非导电材料,覆盖于第一部分上,平坦层的表面具有第二高度;凸点下金属层(105),包括第一金属材料,覆盖于平坦层、第二部分及中间部分上;及重新布线层(106),包括第二金属材料,覆盖于凸点下金属层上。
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Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)